微纳结构硅材料的制备及光电性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 微纳结构硅材料及其应用 | 第11-14页 |
| 1.2.1 表面结构种类及特点 | 第11-12页 |
| 1.2.2 器件化应用 | 第12-14页 |
| 1.3 单晶硅材料少子寿命及表面缺陷 | 第14-17页 |
| 1.3.1 少数载流子的产生 | 第14-15页 |
| 1.3.2 少子寿命 | 第15-16页 |
| 1.3.3 表面缺陷态 | 第16-17页 |
| 1.4 表面钝化 | 第17-18页 |
| 1.4.1 钝化单晶硅的原理 | 第17页 |
| 1.4.2 钝化技术的发展 | 第17-18页 |
| 1.5 研究内容和技术路线 | 第18-20页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第18-19页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第19-20页 |
| 第二章 微纳结构硅材料的制备 | 第20-37页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 飞秒激光烧蚀制备黑硅材料 | 第20-26页 |
| 2.2.1 实验原理 | 第20-22页 |
| 2.2.2 实验准备及步骤 | 第22-26页 |
| 2.2.2.1 实验准备 | 第22-24页 |
| 2.2.2.2 实验步骤 | 第24-26页 |
| 2.3 MEMS工艺刻蚀制备微结构硅材料 | 第26-34页 |
| 2.3.1 光学仿真研究 | 第26-30页 |
| 2.3.2 掩膜技术 | 第30-33页 |
| 2.3.3 光刻工艺 | 第33-34页 |
| 2.4 金属催化腐蚀制备纳米结构硅材料 | 第34-36页 |
| 2.4.1 实验原理 | 第34-35页 |
| 2.4.2 实验方法 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 微纳结构硅材料的性能研究 | 第37-53页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 表征方法 | 第37-38页 |
| 3.3 飞秒激光烧蚀黑硅材料光学性能研究 | 第38-43页 |
| 3.3.1 激光功率的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.2 扫描速度的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.3 气体氛围的影响 | 第41-43页 |
| 3.4 MEMS刻蚀微结构硅材料光学性能研究 | 第43-46页 |
| 3.4.1 图案周期的影响 | 第43-45页 |
| 3.4.2 刻蚀深度的影响 | 第45-46页 |
| 3.5 金属催化腐蚀纳米结构硅材料光学性能研究 | 第46-49页 |
| 3.5.1 腐蚀方法的影响 | 第46-47页 |
| 3.5.2 镀银时间的影响 | 第47-49页 |
| 3.6 刻蚀方法对微纳结构硅电学性能的影响 | 第49-51页 |
| 3.6.1 金-半接触理论分析 | 第49页 |
| 3.6.2 四角电极的制备 | 第49-50页 |
| 3.6.3 实验结果分析与讨论 | 第50-51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 微纳结构硅材料少子寿命研究 | 第53-60页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 测试仪器及原理 | 第53-55页 |
| 4.2.1 测试仪器 | 第53-54页 |
| 4.2.2 测试原理 | 第54-55页 |
| 4.3 刻蚀和钝化对少子寿命的影响 | 第55-58页 |
| 4.3.1 刻蚀工艺的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.2 钝化工艺的影响 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
| 攻硕期间参与的科研项目 | 第68页 |
