| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体功能薄膜的特性 | 第12-13页 |
| 1.3 半导体功能薄膜的制备和表征技术 | 第13-15页 |
| 1.3.1 半导体功能薄膜的制备技术 | 第13-14页 |
| 1.3.2 半导体功能薄膜的表征、分析技术 | 第14-15页 |
| 1.4 钒氧化物的主要结构及特性 | 第15-19页 |
| 1.4.1 五氧化二钒（V_2O_5） | 第16-17页 |
| 1.4.2 二氧化钒（VO_2） | 第17-19页 |
| 1.4.3 三氧化二钒（V_2O_3） | 第19页 |
| 1.5 氧化钒薄膜的光电特性及应用领域 | 第19-21页 |
| 1.6 基于氧化钒薄膜的光电器件的研究现状及存在问题 | 第21-27页 |
| 1.6.1 氧化钒热致相变研究现状及存在问题 | 第21-23页 |
| 1.6.2 基于氧化钒的太赫兹光调制器研究现状及存在问题 | 第23-25页 |
| 1.6.3 氧化钒电致阻变研究现状及存在问题 | 第25-26页 |
| 1.6.4 氧化钒金属-绝缘体转变机理研究及存在问题 | 第26-27页 |
| 1.7 本文的主要研究内容及研究意义 | 第27-29页 |
| 第二章 氧化钒功能薄膜的制备及其表征方法 | 第29-35页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 金属氧化法制备氧化钒薄膜 | 第29-32页 |
| 2.2.1 金属钒薄膜的制备 | 第29-31页 |
| 2.2.2 氧化钒薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 2.2.3 N_2热处理对氧化钒薄膜的影响 | 第32页 |
| 2.3 氧化钒薄膜微结构的表征方法 | 第32-33页 |
| 2.4 氧化钒薄膜光电特性的表征手段 | 第33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 基于柔性基底氧化钒功能薄膜微结构及热致相变性能的研究 | 第35-46页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 氧化钒功能薄膜微结构的分析 | 第35-39页 |
| 3.2.1 薄膜表面形貌的分析 | 第36页 |
| 3.2.2 薄膜结晶取向及成分分析 | 第36-37页 |
| 3.2.3 薄膜组分化学价态分析 | 第37-39页 |
| 3.3 热氧化温度对氧化钒薄膜微结构及热致相变特性的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.1 热氧化温度对薄膜微结构的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.2 热氧化温度对薄膜热致相变特性的影响 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 基于蓝宝石基底氧化钒功能薄膜微结构及热致相变性能的研究 | 第46-60页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 氧化钒薄膜微结构的分析 | 第46-52页 |
| 4.2.1 薄膜表面形貌及结晶取向分析 | 第47-51页 |
| 4.2.2 薄膜价态及组分分析 | 第51-52页 |
| 4.3 氧化钒薄膜剖面不同深度 V 价态分布情况 | 第52-53页 |
| 4.4 氧化钒薄膜热致相变性能分析 | 第53-56页 |
| 4.5 N_2气氛快速热处理对氧化钒薄膜的影响 | 第56-58页 |
| 4.5.1 快速热处理对氧化钒薄膜形貌及结晶取向的影响 | 第56-57页 |
| 4.5.2 快速热处理对氧化钒薄膜热致相变性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.6 氧化钒热致相变机理分析 | 第58-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 光诱导氧化钒功能薄膜的太赫兹波调制特性及应用研究 | 第60-82页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 太赫兹时域频谱测试光路图 | 第61-62页 |
| 5.3 基于 PI 基底氧化钒薄膜的太赫兹波调制特性 | 第62-73页 |
| 5.3.1 薄膜厚度对太赫兹波调制特性的影响 | 第62-64页 |
| 5.3.2 热氧化时间对氧化钒薄膜太赫兹波调制特性的影响 | 第64-66页 |
| 5.3.3 热氧化温度对氧化钒薄膜太赫兹波调制特性的影响 | 第66-67页 |
| 5.3.4 激励光功率对薄膜太赫兹波调制特性的影响 | 第67-71页 |
| 5.3.5 氧化钒薄膜太赫兹波调制稳定性测试 | 第71-73页 |
| 5.4 基于蓝宝石基底氧化钒薄膜太赫兹波调制特性 | 第73-79页 |
| 5.4.1 激励光功率对氧化钒薄膜太赫兹波调制特性的影响 | 第73-77页 |
| 5.4.2 N_2气氛快速热处理对薄膜太赫兹波调制特性的影响 | 第77-78页 |
| 5.4.3 氧化钒薄膜太赫兹波调制特性稳定性测试 | 第78-79页 |
| 5.5 氧化钒光致相变机理分析 | 第79-80页 |
| 5.6 本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 电诱导氧化钒功能薄膜开关特性及应用研究 | 第82-105页 |
| 6.1 引言 | 第82-84页 |
| 6.2 实验过程 | 第84-85页 |
| 6.2.1 器件测试结构的设计及优化 | 第84页 |
| 6.2.2 金属电极的制备 | 第84-85页 |
| 6.2.3 氧化钒薄膜的制备 | 第85页 |
| 6.3 电诱导氧化钒薄膜开关特性的测试 | 第85-98页 |
| 6.3.1 不同氧分压对氧化钒薄膜电开关特性的影响 | 第86-88页 |
| 6.3.2 限流对氧化钒薄膜电开关特性的影响 | 第88-90页 |
| 6.3.3 底电极对氧化钒薄膜电开关特性的影响 | 第90-96页 |
| 6.3.4 氧化钒薄膜电开关循环可逆稳定性测试 | 第96-98页 |
| 6.4 氧化钒电致相变机理分析 | 第98-104页 |
| 6.5 本章小结 | 第104-105页 |
| 第七章 总结展望 | 第105-107页 |
| 7.1 全文总结 | 第105-106页 |
| 7.2 本文创新点 | 第106页 |
| 7.3 工作展望 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-117页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119页 |
