| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 氧化铟（In_2O_3）晶体的研究现状 | 第13-20页 |
| 1.2.1 In_2O_3晶体的基本结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 In_2O_3晶体的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.2.3 In_2O_3晶体的实验研究 | 第15-19页 |
| 1.2.4 In_2O_3晶体的计算机模拟 | 第19-20页 |
| 1.3 本工作的目的和任务 | 第20-21页 |
| 第二章 理论研究方法 | 第21-34页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi-Drc模型 | 第21页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方法 | 第22-23页 |
| 2.2 多体微扰理论（MBPT） | 第23-27页 |
| 2.2.1 Hedin方程 | 第23-25页 |
| 2.2.2 GW近似 | 第25-26页 |
| 2.2.3 Bethe-Salpeter方程 | 第26-27页 |
| 2.3 计算软件包介绍 | 第27-28页 |
| 2.3.1 VASP软件 | 第27-28页 |
| 2.3.2 WANNIER90软件 | 第28页 |
| 2.4 计算的性质 | 第28-34页 |
| 2.4.1 缺陷形成能的计算 | 第28-31页 |
| 2.4.2 光学性质的计算 | 第31-34页 |
| 第三章 基于GGA+U方法对In_2O_3晶体点缺陷的研究 | 第34-41页 |
| 3.1 计算模拟和参数 | 第34页 |
| 3.2 电荷跃迁和能带矫正 | 第34-35页 |
| 3.3 In_2O_3晶体的空位和填隙位置 | 第35页 |
| 3.4 本征缺陷的讨论 | 第35-39页 |
| 3.5 肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的讨论 | 第39-41页 |
| 第四章 In_2O_3基于DFT和MBPT计算的比较 | 第41-45页 |
| 4.1 计算模拟和参数 | 第41页 |
| 4.2 In_2O_3基于GGA，GGA+U，HSE06计算的结果电子能带结构 | 第41-42页 |
| 4.3 基于GGA+ G_0W_0，GGA+U+ G_0W_0，HSE06+ G_0W_0计算的电子能带结构 | 第42-45页 |
| 第五章 G_0W_0-BSE计算光学性质 | 第45-49页 |
| 5.1 复折射率 | 第45页 |
| 5.2 复介电函数 | 第45-46页 |
| 5.3 吸收光谱和吸收机制 | 第46-49页 |
| 第六章 全文总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 | 第54页 |
