当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
基于单质硒活化制备金属硒化物半导体纳米材料的方法学研究
Ⅲ族氮化物材料微纳图形掩膜和衬底的研究
半导体制造中硅片重复利用技术的研究
天通公司快速硅单晶生长工艺控制系统的设计与实现
非晶硅反熔丝的工艺实现和存储器设计
Shape Contrast of Self-running Ga Droplets on GaAs(711)A And(711)B Surfaces
化学气相沉积硼磷掺杂层缺陷减少的研究
有机半导体中掺杂机理的研究
新型半导体材料设计、物性研究及能带调制
稀土掺杂BiOCl的Stocks及反Stocks特异性发光研究
ZnO和Ag/ZnO微纳米结构的制备及光催化性能研究
冶金级硅造渣精炼除硼动力学研究
MOCVD在线光致发光与红外测温研究
新型磁性四氧化三铁@钨酸盐复合光催化剂的制备及其性能研究
不同液相法及其制备条件对氧化锌形貌的影响
过渡元素掺杂的ZnO薄膜的制备及性能研究
工业硅生产过程的热力学优化分析及炉内传热过程数值模拟研究
提纯工业硅除磷研究
BiVO4光催化性的第一性原理研究
磁控溅射法制备ITO薄膜及其光电性能研究
基于CVD工艺的3C/4H-SiC异质外延:缺陷表征及演化
锗单晶超精密加工各向异性的影响研究
单晶炉冷却系统的设计与实现
基于CFD的MOCVD反应室数值模拟
Mn掺杂氧化锌薄膜及电阻开关器件的研究
蜜胺基团修饰苝酰亚胺的合成与组装
超声波微波喷雾热解法制备氧化锡纳米粉体的研究
碳化硅外延石墨烯的工艺探究及表征
硅化钛薄膜的APCVD工艺研究
低温AlN层的MOCVD生长工艺及应用研究
掺镁氧化锌的光学性质和结构的研究
硅片切割粉制备金属硅的基础研究
GaN/ZnO(Cu2O)纳米线异质结的制备及其光电特性
GaN及其掺杂材料的合成与性能研究
ZnCdO半导体薄膜的制备、表征及Al-Os合金的第一性原理计算
Si基GaNHEMT结构MOCVD生长研究
掺Cr和模压处理铜基镶嵌结构界面金刚石膜研究
硅基GaN的可控制备及其发光性能
单根SnO2纳米线器件的电输运及气敏性质研究
4H-SiC低压同质外延生长和器件验证
超导磁体励磁电流源控制器的设计与实现
NiO/SiC异质结的制备及其光电特性的研究
光诱导二氧化钒超快相变动力学研究
一维ZnO纳米结构单电子器件的器件制备及传输特性
ZnO微/纳结构的制备及其荧光、光催化性能研究
稀土掺杂层状BiOF半导体的制备及发光性质研究
单槽法制备多孔硅及其发光性能研究
激光辐照及退火处理对氧化锌薄膜可见光发光性能调控的研究
四元合金GaAsBiN电子和光学性质的第一性原理研究
P-型Cu3Ga5Te9基半导体材料的结构及热电性能研究
上一页
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
下一页