In2Se3纳米结构生长及性质研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 In_2Se_3材料简介 | 第12-13页 |
| 1.2.1 In_2Se_3晶格的结构和性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 In_2Se_3材料的应用 | 第13页 |
| 1.3 硒化物纳米材料的应用 | 第13-19页 |
| 1.3.1 光催化降解 | 第13-14页 |
| 1.3.2 电化学氢存储 | 第14-15页 |
| 1.3.3 光探测器 | 第15-16页 |
| 1.3.4 太阳能电池 | 第16-18页 |
| 1.3.5 相变随机存取存储器 | 第18-19页 |
| 1.4 纳米材料合成研究进展 | 第19-24页 |
| 1.4.1 气相合成法 | 第19-21页 |
| 1.4.2 液相合成法 | 第21-24页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 In_2Se_3纳米结构的制备和研究方法 | 第27-33页 |
| 2.1 硒化铟纳米结构的工艺平台制备概述 | 第27-28页 |
| 2.2 In_2Se_3纳米线制备 | 第28-29页 |
| 2.3 In_2Se_3纳米片制备 | 第29-30页 |
| 2.4 样品表征设备 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 In_2Se_3纳米线的性能表征 | 第33-43页 |
| 3.1 In_2Se_3纳米线的形貌、成分分析 | 第33-36页 |
| 3.2 In_2Se_3纳米线的晶体结构表征 | 第36-37页 |
| 3.3 In_2Se_3纳米线表面电子结构分析 | 第37-38页 |
| 3.4 In_2Se_3纳米线性质测试 | 第38-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 In_2Se_3纳米片基本表征 | 第43-51页 |
| 4.1 In_2Se_3纳米片的形貌、成分表征 | 第43-44页 |
| 4.2 In_2Se_3纳米片的晶体结构表征 | 第44-46页 |
| 4.3 In_2Se_3纳米片的生长机理 | 第46页 |
| 4.4 In_2Se_3纳米片的光学特性 | 第46-49页 |
| 4.4.1 In_2Se_3纳米片的PL谱 | 第46-47页 |
| 4.4.2 In_2Se_3纳米片的透射-吸收谱 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第五章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 主要结论 | 第51-52页 |
| 5.2 研究展望 | 第52-53页 |
| 攻读硕士期间成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
