| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-20页 |
| 1.1 光导开关的应用 | 第8-10页 |
| 1.2 光导开关的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 碳化硅光导开关 | 第12-19页 |
| 1.3.1 SiC的材料性能参数 | 第12-15页 |
| 1.3.2 SiC材料的半绝缘特性 | 第15-16页 |
| 1.3.3 光导开关的工作原理 | 第16-19页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 钒补偿6H-SiC光导开关器件结构设计 | 第20-27页 |
| 2.1 材料选择 | 第20-21页 |
| 2.2 开关器件基本结构的确定 | 第21-26页 |
| 2.2.1 迁移率模型 | 第21-24页 |
| 2.2.2 6 H-SiC材料的光吸收-激发光源的选择 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 钒补偿6H-SiC光导开关器件的暗态特性仿真 | 第27-36页 |
| 3.1 Silvaco软件 | 第27-29页 |
| 3.2 器件的模拟仿真参数及模型 | 第29-31页 |
| 3.2.1 Auger和SRH(Shockley-Read-Hall)复合模型 | 第29-30页 |
| 3.2.2 陷阱效应 | 第30-31页 |
| 3.3 开关器件模拟仿真步骤 | 第31-33页 |
| 3.4 钒补偿6H-SiC光导开关的暗态特性 | 第33-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 弱光下钒补偿6H-SiC光导开关的瞬态特性仿真 | 第36-46页 |
| 4.1 光脉冲对6H-SiC光导开关瞬态特性的影响 | 第36-37页 |
| 4.2 掺杂浓度对6H-SiC光导开关瞬态特性的影响 | 第37-41页 |
| 4.3 陷阱浓度对6H-SiC光导开关瞬态特性的影响 | 第41-43页 |
| 4.4 深能级杂质的光电导瞬态效应 | 第43-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结和展望 | 第46-48页 |
| 5.1 总结 | 第46-47页 |
| 5.2 展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
