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二维半导体材料及其场效应结构光电器件研究

摘要第4-6页
abstract第6-8页
第1章 引言第11-23页
    1.1 二维材料的发现与发展第11-15页
        1.1.1 二维材料的分类第11-13页
        1.1.2 二维材料的制备第13-15页
    1.2 二维材料光电探测器第15-20页
        1.2.1 二维材料光电探测机理第15-17页
        1.2.2 二维材料光电探测器性能参数第17-18页
        1.2.3 二维材料光电探测器研究现状第18-20页
    1.3 二维材料铁电栅极晶体管第20-21页
    1.4 本论文主要工作第21-23页
第2章 二维材料基本性质的光谱研究第23-35页
    2.1 不同层数二维材料PL光谱的鉴定第23-25页
    2.2 不同层数二维材料的Raman光谱鉴定第25-27页
    2.3 二维材料MoTe_2的Raman光谱的热效应研究第27-33页
        2.3.1 Raman光谱激发光功率之前的关系研究第27-30页
        2.3.2 Raman光谱与温度之间的关系研究第30-32页
        2.3.3 二维材料MoTe_2的热导率的估算第32-33页
    2.4 小结第33-35页
第3章 二氧化硅背栅调控的二维材料光电探测器第35-51页
    3.1 二维材料光电晶体管制备第35-37页
    3.2 二维GaSe背栅光电晶体管器件与性能第37-40页
    3.3 二维MoTe_2背栅光电晶体管器件与性能第40-47页
    3.4 二维bP背栅光电晶体管器件与性能第47-50页
    3.5 小结第50-51页
第4章 铁电极化调控的二维材料光电探测器第51-61页
    4.1 有机铁电材料P(VDF-TrFE)调控的MoTe_2光电探测器制备第51-54页
    4.2 有机铁电材料P(VDF-TrFE)调控的MoTe_2光电探测器性能第54-60页
        4.2.1 铁电极化调控的MoTe_2晶体管电学特性测试第54-56页
        4.2.2 铁电极化调控的MoTe_2晶体管光电响应与机理分析第56-60页
    4.3 小结第60-61页
第5章 二维材料铁电存储器与界面工程第61-73页
    5.1 钙钛矿铁电材料PZT调控的二维材料多态存储器第61-66页
    5.2 BN缓冲层对PZT调控的二维材料bP晶体管特性的影响第66-69页
    5.3 P(VDF-TrFE)调控的二维材料bP非挥发性存储器第69-71页
    5.4 小结第71-73页
第6章 总结与展望第73-75页
    6.1 总结第73-74页
    6.2 展望第74-75页
参考文献第75-85页
附录 X射线散射对铜氧化物超导特性的研究第85-105页
    I.高压下的铜基超导氧化物YBa_2Cu_3O_(6+x)(YBCO)超导特性研究第85-93页
        I.1 引言第85-86页
        I.2 样品与实验第86-88页
        I.3 高压下YBCO晶格结构变化第88页
        I.4 高压下YBCO结构无序变化研究第88-91页
        I.5 高压下YBCO电荷密度波变化及讨论第91-92页
        I.6 小结第92-93页
    II.铜基超导氧化物La_(2-x)Sr_xCuO_4(LSCO)电荷密度波研究与相图第93-100页
        II.1 引言第93-94页
        II.2 LSCO电荷密度波的测量第94-95页
        II.3 LSCO电荷密度波的相图第95-97页
        II.4 LSCO中电荷密度波与自旋密度波的纠缠行为第97-100页
        II.5 小结第100页
    参考文献第100-105页
致谢第105-107页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第107-108页

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