| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第13页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物的概述及材料特性 | 第13-22页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物概述 | 第13-14页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物材料的基本结构 | 第14-16页 |
| 1.2.3 Ⅲ族氮化物的基本性质 | 第16-18页 |
| 1.2.4 Ⅲ族氮化物的能带结构 | 第18-20页 |
| 1.2.5 Ⅲ族氮化物的三元、四元合金 | 第20-22页 |
| 1.3 Ⅲ族氮化物研究概况 | 第22-25页 |
| 1.4 InGaN/GaN量子阱基本性质 | 第25-27页 |
| 1.5 微米/纳米结构InGaN/GaN量子阱的研究进展 | 第27-28页 |
| 1.6 论文结构和研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 InGaN/GaN多量子阱纳米柱结构的光学性质研究 | 第35-52页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 半导体纳米材料的特性 | 第35-36页 |
| 2.3 纳米柱的制作 | 第36-37页 |
| 2.4 感应耦合等离子刻蚀 | 第37-40页 |
| 2.4.1 等离子体的形成及刻蚀优点 | 第37-38页 |
| 2.4.2 实验仪器设备与刻蚀参数 | 第38-40页 |
| 2.5 多量子阱纳米柱结构的制备 | 第40-41页 |
| 2.6 纳米柱的形貌表征和发光特性研究 | 第41-49页 |
| 2.6.1 纳米柱的形貌表征和分析 | 第42-43页 |
| 2.6.2 纳米柱发光特性研究 | 第43-49页 |
| 2.7 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 InGaN/GaN多量子阱纳米多孔结构的光学性质研究 | 第52-68页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 多量子阱纳米多孔结构的制备 | 第53-54页 |
| 3.3 多量子阱纳米多孔结构的测试与分析 | 第54-64页 |
| 3.3.1 纳米多孔结构的形貌分析 | 第54-55页 |
| 3.3.2 纳米多孔结构的发光特性研究 | 第55-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 InGaN/GaN多量子阱纳米坑及纳米花状结构的光学性质研究 | 第68-82页 |
| 4.1 引言 | 第68页 |
| 4.2 多量子阱纳米坑及纳米花状结构的制备 | 第68-69页 |
| 4.3 纳米坑和纳米花状结构的形貌表征和分析 | 第69-71页 |
| 4.4 纳米坑和纳米花状结构的发光特性研究 | 第71-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第五章 多量子阱纳米柱结构增透膜的研究 | 第82-98页 |
| 5.1 引言 | 第82-83页 |
| 5.2 外量子效率提高途径 | 第83-84页 |
| 5.3 多量子阱纳米柱结构的制备 | 第84-85页 |
| 5.4 纳米柱的形貌表征和分析 | 第85-86页 |
| 5.5 纳米柱结构的发光特性 | 第86-90页 |
| 5.5.1 无增透层的纳米柱结构的发光特性 | 第86-88页 |
| 5.5.2 含有增透层的纳米柱的发光特性 | 第88-90页 |
| 5.6 刻蚀深度对光抽取效率的影响 | 第90-95页 |
| 5.7 本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第六章 结论 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 攻读博士学位期间发表论文及参加学术会议 | 第101-102页 |
