| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 室温半导体核辐射探测器简介 | 第10-16页 |
| 1.3 TlBr 核辐射探测器的国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 本文内容介绍 | 第17-18页 |
| 2 TlBr 晶体生长 | 第18-28页 |
| 2.1 TlBr 多晶粉体来源 | 第18-22页 |
| 2.2 熔体法生长 TlBr 理论依据 | 第22-24页 |
| 2.3 电控动态梯度法 EDG 生长 TlBr 单晶介绍 | 第24-25页 |
| 2.4 炉温测试及控温程序设定 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 TlBr 晶片的表面处理与性能研究 | 第28-47页 |
| 3.1 半导体表面理论 | 第28-31页 |
| 3.2 TlBr 晶体的切割 | 第31-32页 |
| 3.3 TlBr 晶体的研磨 | 第32-33页 |
| 3.4 TlBr 晶片的抛光处理 | 第33-34页 |
| 3.5 TlBr 晶片的第一次退火处理 | 第34-35页 |
| 3.6 TlBr 晶片的表面形貌 | 第35-37页 |
| 3.7 TlBr 晶片的光学性能 | 第37-39页 |
| 3.8 TlBr 晶片的 X 射线衍射分析 | 第39-41页 |
| 3.9 TlBr 晶片的电极制备与伏安特性 | 第41-42页 |
| 3.10 TlBr 晶片的探测器性能 | 第42-45页 |
| 3.11 TlBr 晶片的化学机械抛光原理 | 第45-46页 |
| 3.12 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 TlBr 晶片的二次退火研究 | 第47-53页 |
| 4.1 实验过程 | 第47-48页 |
| 4.2 性能测试 | 第48-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 全文总结 | 第53页 |
| 5.2 展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录 攻读硕士期间发表的论文 | 第61页 |