氢化非晶/纳米晶硅薄膜的PECVD法制备与性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 氢化硅薄膜概述 | 第10-15页 |
| 1.1.1 氢化硅薄膜分类 | 第10-12页 |
| 1.1.2 氢化非晶/纳米晶硅薄膜的应用 | 第12-13页 |
| 1.1.3 氢化非晶/纳米晶硅能带及导电模型 | 第13-15页 |
| 1.2 选题背景和研究意义 | 第15-16页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 氢化硅薄膜制备与表征方法 | 第17-25页 |
| 2.1 氢化硅薄膜制备方法及生长机理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 薄膜制备方法 | 第17-19页 |
| 2.1.2 氢化硅薄膜生长机理 | 第19-21页 |
| 2.2 氢化硅薄膜表征手段介绍 | 第21-24页 |
| 2.2.1 拉曼散射谱 | 第21-22页 |
| 2.2.2 傅里叶红外吸收谱 | 第22-23页 |
| 2.2.3 X射线衍射 | 第23页 |
| 2.2.4 SEM显微镜 | 第23页 |
| 2.2.5 椭圆偏振 | 第23页 |
| 2.2.6 电阻测试及电导率计算 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 本征氢化非晶/纳米晶硅薄膜制备及研究 | 第25-41页 |
| 3.1 本征氢化非晶硅薄膜的制备及晶化处理 | 第25-26页 |
| 3.2 薄膜微观结构分析 | 第26-30页 |
| 3.3 非晶硅脱氢现象分析 | 第30-33页 |
| 3.4 薄膜光学特性分析 | 第33-35页 |
| 3.5 薄膜电导率特性分析 | 第35-36页 |
| 3.6 氢稀释法制备薄膜及后氧化分析 | 第36-39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 氢化非晶薄膜磷掺杂研究 | 第41-53页 |
| 4.1 磷掺杂对非晶硅薄膜微结构的影响 | 第41-44页 |
| 4.2 薄膜硅氢键成键状态分析 | 第44-48页 |
| 4.3 磷掺杂对薄膜光学特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 磷掺杂对薄膜电学性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 氢化非晶硅薄膜硼掺杂研究及器件应用 | 第53-62页 |
| 5.1 硼掺杂对薄膜电学本征化作用分析 | 第53-54页 |
| 5.2 硼掺杂对薄膜消光系数和微结构的影响 | 第54-56页 |
| 5.3 硼掺杂非晶薄膜在器件上的应用 | 第56-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 总结 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
