| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 压敏材料的概述 | 第8-9页 |
| 1.2 ZnO压敏材料的介绍 | 第9-11页 |
| 1.3 SrTiO_3压敏材料的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.4 SnO_2压敏材料的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.5 钙钛矿氧化物CaCu_3Ti_4O_(12)的研究与发展 | 第13-18页 |
| 1.5.1 CaCu_3Ti_4O_(12)的介电特性 | 第14-15页 |
| 1.5.2 CaCu_3Ti_4O_(12)的结构特性 | 第15-16页 |
| 1.5.3 CaCu_3Ti_4O_(12)的电流-电压特性 | 第16-18页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜制备技术 | 第20-23页 |
| 2.1 薄膜技术的发展过程 | 第20-21页 |
| 2.2 薄膜的制备技术 | 第21-22页 |
| 2.3 薄膜的分析方法 | 第22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 Pt/Ti/Si/SiO_2基底上的CCTO薄膜 | 第23-29页 |
| 3.1 CCTO胶体溶液的制备 | 第23页 |
| 3.2 旋涂法制备CCTO薄膜 | 第23-24页 |
| 3.3 CCTO薄膜的微观表征 | 第24-28页 |
| 3.3.1 分析用主要仪器 | 第24-25页 |
| 3.3.2 测试结果及分析 | 第25-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 Si基底上的CCTO薄膜 | 第29-40页 |
| 4.1 制备CCTO薄膜样品 | 第29-34页 |
| 4.1.1 含酸CCTO胶体溶液制备薄膜 | 第29-30页 |
| 4.1.2 薄膜样品的微观表征 | 第30-31页 |
| 4.1.3 制备CCTO/ZnO/Si复合薄膜结构 | 第31-34页 |
| 4.2 无酸CCTO胶体溶液的配制 | 第34-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第五章 CCTO薄膜的电流-电压特性 | 第40-50页 |
| 5.1 测试不同基底上CCTO薄膜的I-V特性 | 第40-47页 |
| 5.1.1 I-V特性测试系统 | 第40-41页 |
| 5.1.2 Pt/Ti/SiO_2/Si基底上CCTO薄膜I-V特性的测试模式 | 第41-42页 |
| 5.1.3 Pt/Ti/SiO_2/Si基底上CCTO薄膜I-V特性的测试结果 | 第42-46页 |
| 5.1.4 CCTO/ZnO/Si复合薄膜结构I-V特性的测试结果 | 第46-47页 |
| 5.2 CCTO薄膜非欧姆特性导电机理的研究 | 第47-49页 |
| 5.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 总结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
