| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-48页 |
| 1.1 MOSFET技术与摩尔定律 | 第14-18页 |
| 1.1.1 MOSFET尺寸不断缩小的优势 | 第14-15页 |
| 1.1.2 MOSFET尺寸不断缩小面临的挑战 | 第15-17页 |
| 1.1.3 高k材料对沟道迁移率的影响 | 第17-18页 |
| 1.2 新型半导体沟道材料及其研究进展 | 第18-37页 |
| 1.2.1 GaAs的性质介绍 | 第22-26页 |
| 1.2.2 InGaAs性质的介绍 | 第26-31页 |
| 1.2.3 半导体Ge性质介绍 | 第31-36页 |
| 1.2.4 实现Ⅲ-Ⅴ族/Ge新型半导体衬底基CMOS面临的挑战 | 第36-37页 |
| 1.3 原子层沉积技术 | 第37-38页 |
| 1.4 本论文研究的目的和主要内容 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-48页 |
| 第二章 MOS电容的制备工艺与表征方法 | 第48-75页 |
| 2.1 ALD系统简介 | 第48-50页 |
| 2.2 MOS电容的制备方法 | 第50-52页 |
| 2.2.1 高介电栅介质薄膜的ALD生长 | 第50页 |
| 2.2.2 MOS电容的制备方法 | 第50-52页 |
| 2.3 薄膜的界面结构和表面形貌分析方法 | 第52-59页 |
| 2.3.1 X射线光电子能谱 | 第52-53页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 | 第53-55页 |
| 2.3.3 透射电镜截面样品的制备 | 第55-57页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第57-59页 |
| 2.4 MOS电容的电学性能分析方法 | 第59-74页 |
| 2.4.1 电容-电压(C-V)特性 | 第59-66页 |
| 2.4.2 电流-电压(J-V)特性 | 第66-67页 |
| 2.4.3 界面陷阱密度的表征方法 | 第67-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第三章 高k栅介质/GaAs半导体的界面结构与电学性能研究 | 第75-95页 |
| 3.1 引言 | 第75-76页 |
| 3.2 (NH_4)_2S和(NH_4)_2SeO_3溶液钝化研究 | 第76-83页 |
| 3.2.1 GaAs的表面清洗和钝化 | 第76页 |
| 3.2.2 (NH_4)_2S和(NH_4)_2SeO_3溶液钝化对电学性能和界面的影响 | 第76-80页 |
| 3.2.3 高温电导方法研究界面态密度 | 第80-83页 |
| 3.3 原子层外延La_(1.1)Y_(0.9)O_3、La_2O_3/GaAs(111)A的界面与电学性能研究 | 第83-92页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第83-84页 |
| 3.3.2 原子层外延La_(1.1)Y_(0.9)O_3,La_2O_3/GaAs(111)A的界面质量和电学性能 | 第84-92页 |
| 3.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第四章 NH_3钝化和N_2/H_2退火对Al_2O_3/InGaAs电学性能的影响 | 第95-110页 |
| 4.1 引言 | 第95-96页 |
| 4.2 NH_3钝化对Al_2O_3/In_(0.75)Ga_(0.25)As性能的影响 | 第96-104页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第96页 |
| 4.2.2 NH_3钝化对Al_2O_3/In_(0.75)Ga_(0.25)As电学性能的影响 | 第96-104页 |
| 4.3 N_2/H_2退火温度对Al_2O_3/In_(0.75)Ga_(0.25)As电学性质的影响 | 第104-108页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第104页 |
| 4.3.2 N_2/H_2退火温度对Al_2O_3/In_(0.75)Ga_(0.25)As电学性质的影响 | 第104-108页 |
| 4.4 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-110页 |
| 第五章 高k栅介质/Ge-MOS电容的界面结构与电学性能研究 | 第110-133页 |
| 5.1 引言 | 第110页 |
| 5.2 不同表面钝化方法对Ge-MOS的界面和电学性能的影响 | 第110-127页 |
| 5.2.1 化学表面处理对Al_2O_3/Ge的界面和电学性能的影响 | 第110-115页 |
| 5.2.2 GeO_2钝化对HfAlO薄膜的界面和电学性质的影响 | 第115-119页 |
| 5.2.3 引入Al_2O_3界面钝化层对HfO_2/Ge性能的影响 | 第119-121页 |
| 5.2.4 后沉积O_2退火对Al_2O_3/Ge的结构和电学性能的影响 | 第121-125页 |
| 5.2.5 La_2O_3钝化Ge衬底对HfO_2薄膜的界面和电学性质的影响 | 第125-127页 |
| 5.3 (TiO_2)_x(Al_2O_3)_(1-x)/Ge的能带和界面性质 | 第127-130页 |
| 5.4 本章小结 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 第六章 结论与展望 | 第133-137页 |
| 6.1 结论 | 第133-135页 |
| 6.2 展望 | 第135-137页 |
| Publicationlist | 第137-139页 |
| 专利申请 | 第139-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
