| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第8-12页 |
| 1.3 本课题的研究内容 | 第12-14页 |
| 2 钝化与钝化效果的表征 | 第14-24页 |
| 2.1 Valence-Mending概念 | 第14页 |
| 2.2 表面态对肖特基势垒的影响 | 第14-18页 |
| 2.3 钝化效果的表征 | 第18-24页 |
| 2.3.1 XPS分析方法 | 第18页 |
| 2.3.2 I-V法提取势垒高度 | 第18-21页 |
| 2.3.3 C-V法提取势垒高度 | 第21-22页 |
| 2.3.4 吸收光谱的测试 | 第22-24页 |
| 3 S、Se原子吸附Si表面结构的分析 | 第24-32页 |
| 3.1 模型的建立和参数的选取 | 第24-26页 |
| 3.1.1 Si体结构模型建立 | 第24-25页 |
| 3.1.2 参数调试 | 第25页 |
| 3.1.3 表面的模型建立 | 第25-26页 |
| 3.1.4 表面重构模型的建立 | 第26页 |
| 3.2 吸附能分析 | 第26-27页 |
| 3.3 态密度分析 | 第27-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 4 Si（100）表面S、Se钝化方法及测试样品制备 | 第32-36页 |
| 4.1 Si（100）表面S、Se钝化方法 | 第32-34页 |
| 4.1.1 Si（100）表面的清洗 | 第32页 |
| 4.1.2 Si（100）表面的氧化 | 第32-33页 |
| 4.1.3 (NH_4)2S钝化Si（100）工艺 | 第33页 |
| 4.1.4 加入S粉的(NH_4)2S钝化Si（100）工艺 | 第33-34页 |
| 4.1.5 Se钝化Si（100）工艺探索 | 第34页 |
| 4.2 测试样品的制备 | 第34-36页 |
| 5 钝化样品的特性分析 | 第36-52页 |
| 5.1 XPS的分析 | 第36-40页 |
| 5.2 钝化处理对Si肖特基接触特性的改善效果 | 第40-47页 |
| 5.2.1 Ni/n-Si接触势垒高度的变化 | 第40-42页 |
| 5.2.2 Ti/n-Si接触势垒高度的变化 | 第42-44页 |
| 5.2.3 Cu/n-Si接触势垒高度的变化 | 第44-46页 |
| 5.2.4 测试总结 | 第46-47页 |
| 5.3 热稳定性分析 | 第47-50页 |
| 5.3.1 (NH_4)2S钝化的温度特性 | 第48-49页 |
| 5.3.2 加入S粉的（NH_4）2S钝化的温度特性 | 第49-50页 |
| 5.4 少子寿命分析 | 第50-52页 |
| 6 总结 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
