| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 氮化物热电材料的研究背景及意义 | 第8-12页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.1.2 选题意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第12-14页 |
| 1.2.1 理论计算研究 | 第12-13页 |
| 1.2.2 实验结果研究 | 第13-14页 |
| 1.2.3 发展趋势 | 第14页 |
| 1.3 本论文的主要安排 | 第14-16页 |
| 第2章 热电效应分类及提高热电性能的方法 | 第16-22页 |
| 2.1 热电效应 | 第16-18页 |
| 2.1.1 塞贝克效应 | 第16-17页 |
| 2.1.2 帕尔贴效应 | 第17页 |
| 2.1.3 汤姆逊效应 | 第17-18页 |
| 2.2 提高热电性能的途径 | 第18-21页 |
| 2.2.1 合金化 | 第18-19页 |
| 2.2.2 低维化 | 第19-20页 |
| 2.2.3 调制掺杂技术 | 第20-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 热电器件工作原理及发展现状 | 第22-28页 |
| 3.1 热电器件工作原理 | 第22-24页 |
| 3.1.1 温差发电器 | 第22-23页 |
| 3.1.2 温差制冷器 | 第23-24页 |
| 3.2 氮化物热电材料器件的研究现状 | 第24-26页 |
| 3.2.1 自支撑GaN和外延GaN层的热电器件 | 第24-25页 |
| 3.2.2 InN薄膜热电微器件 | 第25-26页 |
| 3.2.3 用于微型发电的氮化镓基横向一体化热电器件 | 第26页 |
| 3.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第4章 测量技术 | 第28-44页 |
| 4.1 塞贝克系数的测量 | 第28-37页 |
| 4.1.1 塞贝克效应测试仪搭建的原理 | 第28-29页 |
| 4.1.2 塞贝克效应测试仪所需配件 | 第29-33页 |
| 4.1.3 软件控制 | 第33-37页 |
| 4.2 电导率的测量 | 第37-42页 |
| 4.2.1 四探针法测量薄膜电导率的背景及意义 | 第37-38页 |
| 4.2.2 四探针法测量薄膜电导率的原理 | 第38-41页 |
| 4.2.3 实验 | 第41-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第5章 GaN基热电材料室温热电特性 | 第44-52页 |
| 5.1 引言 | 第44-45页 |
| 5.2 GaN薄膜材料室温热电性能研究 | 第45-48页 |
| 5.2.1 实验部分 | 第45页 |
| 5.2.2 实验结果与分析 | 第45-48页 |
| 5.3 不同材料GaN室温热电性能对比研究 | 第48-51页 |
| 5.3.1 实验部分 | 第48-49页 |
| 5.3.2 实验结果与分析 | 第49-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第6章 展望与发展 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |