利用LPCVD法在SiC衬底上制备Ge晶须及机理分析

摘要	第3-4页
英文摘要	第4页
1 绪论	第6-12页
1.1 SiC衬底上Ge外延研究进展	第6-10页
1.2 本论文主要工作内容	第10-12页
2 SiC/Ge晶核形核过程与制备工艺	第12-22页
2.1 晶核生长与形核过程	第12-13页
2.2 晶核晶须生长理论	第13-14页
2.3 影响形核生长的因素	第14页
2.4 SiC/Ge晶核生长动力学过程	第14-15页
2.5 晶核生长的热力学界面能理论	第15-17页
2.6 LPCVD生长系统的组成与特点	第17-18页
2.7 低压化学气相沉积法（LPCVD）	第18-22页
3 工艺条件对SiC/Ge晶须形貌的影响	第22-40页
3.1 生长温度对SiC/Ge晶须形貌的影响	第22-28页
3.2 生长时间对SiC/Ge晶须形貌的影响	第28-35页
3.3 源气体流量比对SiC/Ge晶须形貌的影响	第35-40页
4 SiC/Ge晶须的生长机理分析	第40-44页
4.1 奥斯瓦尔多（Ostwald）吞并过程	第40-41页
4.2 SiC/Ge晶须生长机制分析	第41-42页
4.3 SiC/Ge晶核生长模式的分析	第42-44页
5 结论	第44-46页
致谢	第46-48页
参考文献	第48-54页
在校期间发表的论文及获奖情况	第54页