硅锗薄膜制备及纳米结构演化研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 硅锗的性质 | 第11-16页 |
| 1.2.1 硅锗的基本性质 | 第11-15页 |
| 1.2.2 硅锗纳米晶特性 | 第15-16页 |
| 1.3 硅锗材料PECVD制备方法及发展 | 第16-25页 |
| 1.3.1 硅锗薄膜的PECVD制备方法 | 第16-22页 |
| 1.3.2 硅锗纳米结构的PECVD制备研究进展 | 第22-25页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 双气源Jet-ICPCVD硅锗薄膜制备 | 第30-45页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 双气源Jet-ICPCVD系统 | 第30-34页 |
| 2.3 非晶硅锗纳米薄膜的结构特征 | 第34-43页 |
| 2.3.1 结晶特性 | 第34-37页 |
| 2.3.2 形貌与结构 | 第37-39页 |
| 2.3.3 生长条件对组分的影响 | 第39-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 硅锗薄膜退火处理及纳米结构演化 | 第45-70页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 退火硅锗薄膜的结构特征 | 第45-51页 |
| 3.3 高锗组分硅锗纳米晶结构演化 | 第51-55页 |
| 3.4 原子迁移及其对结构的影响 | 第55-67页 |
| 3.4.1 原子迁移-偏聚及析出 | 第55-59页 |
| 3.4.2 原子迁移对薄膜形貌及结构的影响 | 第59-65页 |
| 3.4.3 硅对锗迁移的抑制 | 第65-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第四章 硅锗纳米晶分子力学模拟 | 第70-85页 |
| 4.1 引言 | 第70页 |
| 4.2 硅锗合金的结构与稳定性 | 第70-74页 |
| 4.3 分子力学模拟硅锗合金体系 | 第74-78页 |
| 4.4 硅锗纳米晶的分子动力学模拟 | 第78-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第五章 结论与展望 | 第85-87页 |
| 5.1 主要结论 | 第85-86页 |
| 5.2 研究展望 | 第86-87页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
