多场作用下多晶硅定向生长的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 太阳能电池的发展 | 第11-15页 |
| 1.2.1 太阳能电池的分类 | 第11-13页 |
| 1.2.2 多晶硅太阳能电池的工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3 铸造多晶硅生长技术 | 第15-19页 |
| 1.3.1 浇铸法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 电磁铸造法 | 第16-17页 |
| 1.3.3 定向凝固法 | 第17-19页 |
| 1.4 多晶硅定向凝固技术发展现状 | 第19-24页 |
| 1.4.1 改良西门子法多晶硅定向生长研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4.2 冶金法定向凝固生长研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4.3 磁场辅助多晶硅定向凝固生长技术 | 第21-24页 |
| 1.5 数值模拟在多晶硅生长的应用 | 第24-26页 |
| 1.6 课题来源、研究目的及主要内容 | 第26-28页 |
| 1.6.1 课题来源 | 第26页 |
| 1.6.2 研究目的及主要内容 | 第26-28页 |
| 第2章 多晶硅定向凝固生长理论简介 | 第28-37页 |
| 2.1 定向凝固特性 | 第28-30页 |
| 2.1.1 定向凝固过程的分凝现象 | 第28-29页 |
| 2.1.2 定向凝固过程的成分过冷 | 第29-30页 |
| 2.2 晶体生长过程的热量输送 | 第30-33页 |
| 2.2.1 同介质中的热量传输 | 第31页 |
| 2.2.2 与周围环境的热量交换 | 第31-33页 |
| 2.3 晶体生长过程中的液相流动 | 第33-36页 |
| 2.3.1 流体的分类与起因 | 第33-35页 |
| 2.3.2 流体中的速度场 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 坩埚厚度对多晶硅定向凝固模拟的影响 | 第37-49页 |
| 3.1 有限元分析的特点 | 第37-38页 |
| 3.2 物理模型的建立 | 第38-41页 |
| 3.2.1 几何结构 | 第38-39页 |
| 3.2.2 控制方程 | 第39-40页 |
| 3.2.3 网格划分 | 第40-41页 |
| 3.3 数值模拟结果分析 | 第41-48页 |
| 3.3.1 硅料的熔化 | 第41-43页 |
| 3.3.2 结晶过程 | 第43-45页 |
| 3.3.3 热应力 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响 | 第49-60页 |
| 4.1 模型建立 | 第49-50页 |
| 4.1.1 条件假设 | 第50页 |
| 4.1.2 参数设置 | 第50页 |
| 4.2 无磁场时的模拟和实验 | 第50-52页 |
| 4.2.1 控制方程 | 第51页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第51-52页 |
| 4.3 加入磁场的模拟和实验 | 第52-59页 |
| 4.3.1 模拟结果与分析 | 第54-58页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 降温速率对冶金硅定向凝固生长的研究 | 第60-70页 |
| 5.1 实验过程 | 第60-61页 |
| 5.2 降温速率对定向凝固生长多晶硅的影响 | 第61-68页 |
| 5.2.1 降温速率对少子寿命的影响 | 第61-64页 |
| 5.2.2 降温速率对固液界面的影响 | 第64-66页 |
| 5.2.3 降温速率对电阻率的影响 | 第66-67页 |
| 5.2.4 降温速率对硅锭的晶体形貌的影响 | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第6章 结论与展望 | 第70-73页 |
| 6.1 结论 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-82页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第82页 |
