| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-11页 |
| 2 文献综述 | 第11-37页 |
| 2.1 境外LTPS AMOLED产业现状 | 第11-14页 |
| 2.1.1 境外AMOLED企业规模和优势 | 第11-12页 |
| 2.1.2 目前的技术规模和发展趋势 | 第12-14页 |
| 2.2 我国LTPS-AMOLED技术现状 | 第14-18页 |
| 2.2.1 我国LTPS-AMOLED产能状况 | 第16-18页 |
| 2.2.2 我国LTPS-AMOLED技术的差距 | 第18页 |
| 2.3 低温多晶硅背板AMOLED技术 | 第18-34页 |
| 2.3.1 AMOLED技术工艺流程 | 第18-22页 |
| 2.3.2 AMOLED技术的电学特性要求 | 第22-24页 |
| 2.3.3 准分子激光结晶法 | 第24-29页 |
| 2.3.4 固相结晶法 | 第29-33页 |
| 2.3.5 连续激光结晶技术 | 第33-34页 |
| 2.4 本文研究目的、意义及主要内容 | 第34-37页 |
| 2.4.1 本文的意义和目的 | 第34-35页 |
| 2.4.2 本文的主要内容 | 第35-37页 |
| 3.少子寿命概念和测试低温多晶硅实验理论 | 第37-45页 |
| 3.1 少子寿命概念和测试可行性和优势 | 第37-38页 |
| 3.1.1 少子寿命概念 | 第37页 |
| 3.1.2 背板少子寿命测试的优势 | 第37页 |
| 3.1.3 低温多晶硅少子寿命测试的可行性 | 第37-38页 |
| 3.1.4 测试在大规模生产中的优势 | 第38页 |
| 3.2 实验原理、仪器及步骤 | 第38-45页 |
| 3.2.1 实验仪器 | 第42页 |
| 3.2.2 实验步骤与流程 | 第42-44页 |
| 3.2.3 实验制备产物的表征方法 | 第44-45页 |
| 4.低温多晶硅少子寿命测试研究架构和测试实现 | 第45-59页 |
| 4.1 理论准备 | 第45-46页 |
| 4.2 实验操作过程 | 第46页 |
| 4.3 不同激光能量和晶粒大小、结晶测试 | 第46-49页 |
| 4.4 低温多晶硅少子寿命测试 | 第49-51页 |
| 4.5 低温多晶硅TFT特性 | 第51-55页 |
| 4.6 多晶硅少子寿命与TFT特性 | 第55-57页 |
| 4.7 AMOLED器件测试结果 | 第57-58页 |
| 4.8 本章小结 | 第58-59页 |
| 5.低温多晶硅少子寿命测试的再次实验验证 | 第59-66页 |
| 5.1 工艺条件变化同少子寿命的关系 | 第59-60页 |
| 5.1.1 激光能量对载流子少子寿命的影响 | 第59-60页 |
| 5.1.2 晶粒大小分布对载流子少子寿命的影响 | 第60页 |
| 5.2 载流子少子寿命对TFT特性关系的验证对比 | 第60-62页 |
| 5.2.1 载流子少子寿命对低温多晶硅迁移率的影响关系 | 第61页 |
| 5.2.2 载流子少子寿命对Vth的影响 | 第61-62页 |
| 5.3 模型的再次重现度分析 | 第62-65页 |
| 5.3.1 少子寿命同晶粒和结晶的关系模型验证 | 第62-63页 |
| 5.3.2 少子寿命同TFT特性、AMOLED显示的关系的再验证 | 第63-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 6.研究结论及对今后工作方向 | 第66-68页 |
| 6.1 研究结论 | 第66-67页 |
| 6.2 今后工作方向 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |