| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 英汉缩略语表 | 第13-14页 |
| 符号表 | 第14-16页 |
| 第1章 绪论 | 第16-27页 |
| 1.1 太赫兹波简介 | 第16-22页 |
| 1.1.1 太赫兹波辐射源 | 第18-20页 |
| 1.1.2 太赫兹波探测器 | 第20-21页 |
| 1.1.3 太赫兹功能器件 | 第21-22页 |
| 1.2 太赫兹波开关器件的发展现状 | 第22-25页 |
| 1.2.1 光开关器件 | 第22-23页 |
| 1.2.2 太赫兹波光控开关器件 | 第23-25页 |
| 1.3 课题研究的意义、研究内容和章节安排 | 第25-27页 |
| 1.3.1 课题研究的意义 | 第25-26页 |
| 1.3.2 本文研究内容和章节安排 | 第26-27页 |
| 第2章 太赫兹波开关的知识准备 | 第27-43页 |
| 2.1 光生载流子的产生 | 第27-29页 |
| 2.1.1 固体能带基本概念 | 第27-28页 |
| 2.1.2 半导体的光吸收 | 第28-29页 |
| 2.2 光生载流子浓度变化 | 第29-34页 |
| 2.2.1 上升时间和下降时间 | 第33-34页 |
| 2.2.2 激光脉冲照射半导体 | 第34页 |
| 2.3 光生载流子的复合 | 第34-38页 |
| 2.3.1 复合过程 | 第35-36页 |
| 2.3.2 复合方式影响少子寿命 | 第36-38页 |
| 2.4 少数载流子寿命 | 第38页 |
| 2.5 光电导效应应用于太赫兹波 | 第38-42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 少数载流子寿命对太赫兹波开关性能影响的实验研究 | 第43-63页 |
| 3.1 少数载流子寿命对开关特性的影响 | 第43-49页 |
| 3.1.1 THz-TDS系统的太赫兹波发生与检测 | 第43-44页 |
| 3.1.2 实验方案与步骤 | 第44-46页 |
| 3.1.3 实验结果与分析 | 第46-49页 |
| 3.2 少数载流子寿命对开关响应速率的影响 | 第49-51页 |
| 3.2.1 BWO系统与检测设备 | 第49-50页 |
| 3.2.2 实验方案与结果分析 | 第50-51页 |
| 3.3 激光强度对开关特性的影响 | 第51-53页 |
| 3.4 少数载流子寿命的测量技术 | 第53-54页 |
| 3.5 高阻硅片的少数载流子寿命的降低 | 第54-58页 |
| 3.5.1 少子寿命控制技术 | 第54-55页 |
| 3.5.2 高温热处理掺杂降低少子寿命 | 第55-58页 |
| 3.6 热处理后Si样品开关性能测试 | 第58-62页 |
| 3.7 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 电光调制系统组建与太赫兹波开关器件测量 | 第63-71页 |
| 4.1 高速电光调制系统 | 第63-66页 |
| 4.1.1 实验方案与系统组建 | 第63-65页 |
| 4.1.2 高速调制光路性能测试 | 第65-66页 |
| 4.2 基于光电导效应的太赫兹波开关测试系统组建 | 第66-67页 |
| 4.3 太赫兹波光控开关性能测量 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第5章 结论与展望 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 作者简历 | 第78页 |