ZnS半导体薄膜材料可控制备与性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 前言 | 第8-20页 |
| 1.1 ZnS 基本性质 | 第8-9页 |
| 1.2 ZnS 应用研究 | 第9-15页 |
| 1.2.1 ZnS 在太阳能电池方面的应用研究 | 第9-12页 |
| 1.2.2 ZnS 在电致发光器件方面的应用研究 | 第12-14页 |
| 1.2.3 ZnS 在透明电极方面的应用研究 | 第14页 |
| 1.2.4 ZnS 在生物医学方面的应用研究 | 第14-15页 |
| 1.2.5 ZnS 在光催化方面的应用研究 | 第15页 |
| 1.3 ZnS 薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.3.1 溅射 | 第15-16页 |
| 1.3.2 真空蒸发 | 第16-17页 |
| 1.3.3 化学气相沉积 | 第17页 |
| 1.3.4 化学浴沉积 | 第17-18页 |
| 1.3.5 溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| 1.4 本文的研究目的和意义 | 第18-20页 |
| 第2章 实验设计 | 第20-22页 |
| 2.1 ZnS 薄膜样品的制备 | 第20页 |
| 2.2 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.3 分析手段 | 第21-22页 |
| 第3章 H_2S 气氛中生长 ZnS 薄膜 | 第22-37页 |
| 3.1 样品制备 | 第22页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第22-36页 |
| 3.2.1 退火温度对 ZnS 薄膜性能影响 | 第22-30页 |
| 3.2.2 硫化时间对 ZnS 薄膜特性的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.3 空气退火前后 ZnO 硫化的光学性能 | 第33-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 硫蒸气中生长 ZnS 薄膜研究 | 第37-49页 |
| 4.1 样品制备 | 第37-38页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第38-48页 |
| 4.2.1 ZnO 薄膜硫化 | 第38-43页 |
| 4.2.2 Zn 薄膜硫化研究 | 第43-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 硫化法可控生长 ZnS 薄膜研究 | 第49-54页 |
| 5.1 样品制备 | 第49页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第49-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第6章 结论和展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第62页 |
