| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 GaSb材料钝化的研究现状 | 第9-17页 |
| 1.2.1 GaSb材料湿法钝化 | 第9-12页 |
| 1.2.2 GaSb材料干法钝化 | 第12-17页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 氮钝化技术的理论依据及实现方法 | 第19-34页 |
| 2.1 氮钝化引入的理论基础 | 第19-22页 |
| 2.2 原子层沉积法系统介绍 | 第22-27页 |
| 2.2.1 原子层沉积法原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 原子层沉积法特点 | 第24-25页 |
| 2.2.3 原子层沉积法应用 | 第25-27页 |
| 2.3 等离子体增强原子层沉积系统介绍 | 第27-31页 |
| 2.3.1 等离子体增强原子层沉积系统原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 等离子体增强原子层沉积系统特点 | 第28-31页 |
| 2.4 等离子体增强原子层刻蚀系统介绍 | 第31-33页 |
| 2.4.1 等离子体增强原子层刻蚀原理 | 第31-32页 |
| 2.4.2 等离子体增强原子层刻蚀应用 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 氮钝化条件对GaSb材料发光特性的影响研究 | 第34-47页 |
| 3.1 GaSb材料氮钝化工艺条件研究 | 第34-40页 |
| 3.1.1 等离子体功率对GaSb材料发光性能的影响研究 | 第34-38页 |
| 3.1.2 表面刻蚀周期变化对GaSb材料发光性能的影响研究 | 第38-40页 |
| 3.2 氮钝化的稳定性研究 | 第40-45页 |
| 3.2.1 NH_3等离子体单独处理样品稳定性研究 | 第40-42页 |
| 3.2.2 沉积AlN薄膜保护层后稳定性研究 | 第42-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 氮钝化对GaSb材料表面态影响机理研究 | 第47-58页 |
| 4.1 变周期样品Ga(3d)能级的XPS能谱测试及分析 | 第47-50页 |
| 4.2 变周期样品Sb(3d)能级的XPS能谱测试及分析 | 第50-53页 |
| 4.3 变周期样品的原子力显微镜测试及分析 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第66页 |
