摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-39页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 半导体纳米材料的光电性质 | 第12-17页 |
1.2.1 光电探测器的评价指标 | 第13-15页 |
1.2.2 半导体纳米材料光电探测器 | 第15-17页 |
1.3 碲材料的基本性质 | 第17-18页 |
1.4 碲纳米材料的制备及自组装 | 第18-34页 |
1.4.1 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
1.4.2 常压化学液相法 | 第19-24页 |
1.4.3 水热法和溶剂热法 | 第24-31页 |
1.4.4 碲纳米材料的自组装 | 第31-34页 |
1.5 碲纳米材料的物理性能 | 第34-38页 |
1.5.1 光电性能 | 第34-36页 |
1.5.2 热电性能 | 第36-38页 |
1.6 本论文的研究内容和意义 | 第38-39页 |
第2章 单晶碲纳米线的绿色制备 | 第39-49页 |
2.1 引言 | 第39页 |
2.2 实验部分 | 第39-41页 |
2.2.1 实验原料 | 第39页 |
2.2.2 实验设备及仪器 | 第39页 |
2.2.3 实验方法 | 第39-40页 |
2.2.4 样品测试与表征 | 第40-41页 |
2.3 结果与讨论 | 第41-47页 |
2.3.1 碲纳米线的物相及形貌表征 | 第41-44页 |
2.3.2 还原剂对碲纳米线形貌的影响 | 第44-47页 |
2.3.3 PVP的加入量对碲纳米线形貌的影响 | 第47页 |
2.4 本章小结 | 第47-49页 |
第3章 尺寸均一碲纳米棒的制备及其稳定性 | 第49-57页 |
3.1 引言 | 第49页 |
3.2 实验部分 | 第49页 |
3.2.1 实验原料 | 第49页 |
3.2.2 实验设备及仪器 | 第49页 |
3.2.3 实验方法 | 第49页 |
3.3 结果与讨论 | 第49-55页 |
3.3.1 尺寸均一碲纳米棒的形貌及结构表征 | 第49-51页 |
3.3.2 反应时间对碲纳米棒形貌的影响 | 第51-54页 |
3.3.3 PVP和AAAS对纳米棒形貌的影响 | 第54-55页 |
3.3.4 碲纳米棒的稳定性 | 第55页 |
3.4 本章小结 | 第55-57页 |
第4章 超细碲纳米线、碲纳米管和三重碲纳米棒的可控制备 | 第57-71页 |
4.1 引言 | 第57页 |
4.2 实验部分 | 第57-58页 |
4.2.1 实验原料 | 第57页 |
4.2.2 实验设备及仪器 | 第57页 |
4.2.3 实验方法 | 第57-58页 |
4.3 结果与讨论 | 第58-69页 |
4.3.1 超细碲纳米线的形貌及结构表征 | 第58-60页 |
4.3.2 PVP和AAAS对产物形貌的影响 | 第60-62页 |
4.3.3 温度对产物形貌的影响 | 第62-65页 |
4.3.4 反应时间对产物形貌的影响 | 第65-68页 |
4.3.5 碲纳米管和三重结构的生长机理 | 第68-69页 |
4.4 本章小结 | 第69-71页 |
第5章 碲纳米材料薄膜的光电响应性能 | 第71-87页 |
5.1 引言 | 第71页 |
5.2 实验部分 | 第71-73页 |
5.2.1 实验设备及仪器 | 第71页 |
5.2.3 实验方法 | 第71-73页 |
5.3 结果与讨论 | 第73-84页 |
5.3.1 无序碲纳米线薄膜光电探测器 | 第73-76页 |
5.3.2 超细碲纳米线薄膜光电探测器 | 第76-77页 |
5.3.3 三重碲纳米棒薄膜光电探测器 | 第77-78页 |
5.3.4 有序碲纳米线薄膜光电探测器 | 第78-83页 |
5.3.5 四种光电探测器的性能对比 | 第83-84页 |
5.4 本章小结 | 第84-87页 |
第6章 全文总结和展望 | 第87-89页 |
6.1 全文总结 | 第87-88页 |
6.2 展望 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-107页 |
致谢 | 第107-109页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第109页 |
已发表论文 | 第109页 |
专利 | 第109页 |