| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 锑化物半导体材料研究进展 | 第9-17页 |
| 1.2.1 锑化物半导体材料的物理特性 | 第9-10页 |
| 1.2.2 锑化物材料应用的研究现状 | 第10-17页 |
| 1.3 退火对锑化物合金结构及发光的影响 | 第17-22页 |
| 1.3.1 退火对材料结构的影响 | 第17-19页 |
| 1.3.2 退火对材料发光特性的影响 | 第19-22页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验方法和测试手段 | 第24-35页 |
| 2.1 实验方法 | 第24-28页 |
| 2.1.1 分子束外延技术(MBE)及其生长机理 | 第24-26页 |
| 2.1.2 热退火处理(Thermal Annealing) | 第26-28页 |
| 2.2 材料分析测试方法 | 第28-33页 |
| 2.2.1 结构特性分析(X-Ray Diffraction，XRD) | 第28-29页 |
| 2.2.2 光学性能测试(Photoluminescence，PL) | 第29-30页 |
| 2.2.3 光致发光的原理 | 第30-33页 |
| 2.2.4 局域态发光 | 第33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 不同条件的慢速退火对GaAs_(1-x)Sb_x合金发光特性影响 | 第35-43页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 原生GaAs_(1-x)Sb_x合金的发光特性研究 | 第35-37页 |
| 3.2.1 样品制备及实验过程 | 第35-36页 |
| 3.2.2 原生GaAs_(1-x)Sb_x合金的发光性质 | 第36-37页 |
| 3.3 慢速退火对GaAs_(1-x)Sb_x合金质量和发光的影响 | 第37-42页 |
| 3.3.1 慢速退火对晶体质量的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 慢速退火对GaAs_(1-x)Sb_x合金发光的影响 | 第38-42页 |
| 3.4 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 快速退火对GaAs_(1-x)Sb_x合金质量及发光特性的影响 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 快速热退火时间对GaAs_(1-x)Sb_x合金质量和发光的影响 | 第43-50页 |
| 4.2.1 快速热退火对GaAs_(1-x)Sb_x合金质量的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.2 快速热退火对GaAs_(1-x)Sb_x合金发光特性的分析 | 第44-50页 |
| 4.3 快速热退火和慢速退火对合金性质影响的对比 | 第50-52页 |
| 4.3.1 退火后对GaAs_(1-x)Sb_x合金质量的分析 | 第50页 |
| 4.3.2 退火后对GaAs_(1-x)Sb_x合金发光特性的分析 | 第50-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第61页 |
