| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 半导体激光器 | 第10-12页 |
| 1.2 应变量子阱激光器 | 第12-22页 |
| 1.2.1 应变量子阱激光器简介 | 第12-13页 |
| 1.2.2 GaSb基材料及在半导体激光器上的应用 | 第13-15页 |
| 1.2.3 GaAsSb材料及GaAsSb应变量子阱激光器 | 第15-22页 |
| 1.3 本论文的研究意义及研究思路 | 第22-24页 |
| 1.3.1 GaAsSb/AlGaAs应变量子阱的研究意义 | 第22-23页 |
| 1.3.2 本论文的研究思路 | 第23-24页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 能带理论及GaSb基材料的基本物理问题 | 第26-42页 |
| 2.1 半导体材料能带结构与复合机制 | 第26-32页 |
| 2.1.1 半导体材料的能带结构 | 第26页 |
| 2.1.2 半导体材料中的载流子及其准粒子态和多粒子态 | 第26-28页 |
| 2.1.3 半导体材料中的复合过程 | 第28-30页 |
| 2.1.4 半导体中辐射复合的表征 | 第30-32页 |
| 2.2 载流子局域化理论 | 第32-36页 |
| 2.2.1 载流子局域化的影响 | 第33-34页 |
| 2.2.2 局域态集体荧光模型 | 第34-36页 |
| 2.3 量子阱材料的发光性质 | 第36-40页 |
| 2.3.1 半导体量子阱结构 | 第37-38页 |
| 2.3.2 量子阱结构中应变对能带结构的影响 | 第38-40页 |
| 2.4 GaSb基材料及量子阱中的相关科学问题 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 GaSb薄膜的异质外延及性质研究 | 第42-64页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 GaSb薄膜的同质及异质外延 | 第42-47页 |
| 3.2.1 同质外延及晶体性质表征 | 第42-45页 |
| 3.2.2 异质外延及晶体性质表征 | 第45-47页 |
| 3.3 GaSb薄膜的发光性质 | 第47-55页 |
| 3.3.1 GaSb材料基本性质及研究进展 | 第47-50页 |
| 3.3.2 同质外延GaSb薄膜的光学性质 | 第50-54页 |
| 3.3.3 异质外延GaSb的光学性质 | 第54-55页 |
| 3.4 GaSb材料的钝化研究 | 第55-63页 |
| 3.4.1 表面钝化研究进展 | 第56-57页 |
| 3.4.2 钝化样品制备 | 第57页 |
| 3.4.3 钝化前后样品的光学性质对比 | 第57-60页 |
| 3.4.4 GaSb钝化机制研究 | 第60-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 GaAsSb合金的局域态发光性质及调控研究 | 第64-82页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 GaAsSb的外延生长及能带参数计算 | 第64-68页 |
| 4.2.1 GaAsSb的外延生长研究进展 | 第64-65页 |
| 4.2.2 GaAsSb合金在GaAs上的异质外延 | 第65-66页 |
| 4.2.3 GaAsSb合金的能带性质 | 第66-68页 |
| 4.3 GaAsSb合金的发光性质研究 | 第68-74页 |
| 4.4 退火对GaAsSb合金局域态的调控研究 | 第74-80页 |
| 4.4.1 快速热退火样品制备 | 第75页 |
| 4.4.2 退火对局域态的调控作用 | 第75-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 GaAsSb/AlGaAs应变量子阱的外延生长及发光性质调控研究 | 第82-102页 |
| 5.1 引言 | 第82-83页 |
| 5.2 GaAsSb/AlGaAs应变量子阱的理论研究及外延生长 | 第83-95页 |
| 5.2.1 应变对GaAsSb/AlGaAs量子阱能带结构的影响 | 第83-86页 |
| 5.2.2 GaAsSb/AlGaAs应变量子阱的外延生长 | 第86-87页 |
| 5.2.3 GaAsSb/AlGaAs应变多量子阱的晶体质量及发光性质 | 第87-95页 |
| 5.3 退火对GaAsSb/AlGaAs应变多量子阱发光性质调制的研究 | 第95-100页 |
| 5.3.1 退火样品制备 | 第95页 |
| 5.3.2 退火对GaAsSb/AlGaAs应变多量子阱中应变及发光性质的影响 | 第95-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 结论 | 第102-104页 |
| 展望 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-118页 |
| 攻读博士期间发表论文及专利 | 第118页 |
