| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管研究进展 | 第10-14页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-19页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管材料生长及表征技术 | 第19-34页 |
| 2.1 半导体材料生长和微米管制备以及特性表征设备 | 第19-25页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积 | 第19-20页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第20-21页 |
| 2.1.3 光刻技术 | 第21-22页 |
| 2.1.4 X射线衍射仪 | 第22-23页 |
| 2.1.5 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 2.1.6 光致发光光谱 | 第23-24页 |
| 2.1.7 拉曼光谱 | 第24-25页 |
| 2.2 微米管模型基本理论 | 第25-28页 |
| 2.3 应变外延材料的生长 | 第28-30页 |
| 2.3.1 GaAs基和Si基简单InGaAs/GaAs应变双层薄膜生长 | 第28-29页 |
| 2.3.2 GaAs基嵌GaAs量子阱应变薄膜生长 | 第29-30页 |
| 2.3.3 应变外延层上溅镀金薄膜 | 第30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管的制备及结构特性 | 第34-56页 |
| 3.1 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管制备方法 | 第34-39页 |
| 3.1.1 独立矩形结构 | 第34-36页 |
| 3.1.2 撕裂制备方式 | 第36-39页 |
| 3.2 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管结构特性 | 第39-51页 |
| 3.2.1 GaAs基InGaAs/GaAs微米管结构特性 | 第39-45页 |
| 3.2.2 Si基InGaAs/GaAs微米管结构特性 | 第45-48页 |
| 3.2.3 嵌GaAs量子阱的Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管结构特性 | 第48-49页 |
| 3.2.4 镀金薄膜的InGaAs/GaAs微米管结构特性 | 第49-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管光学特性研究 | 第56-78页 |
| 4.1 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管PL谱特性研究 | 第56-66页 |
| 4.1.1 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管PL谱非谐振模式分析 | 第56-61页 |
| 4.1.2 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管PL谱谐振模式分析 | 第61-66页 |
| 4.2 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管Raman光谱特性研究 | 第66-73页 |
| 4.3 本章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第五章 总结和展望 | 第78-80页 |
| 5.1 总结 | 第78-79页 |
| 5.2 展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第82页 |
