| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 纳米科技与纳米材料 | 第12-14页 |
| 1.2 半导体纳米材料的简介 | 第14-17页 |
| 1.2.1 半导体纳米材料的特性 | 第14-16页 |
| 1.2.2 半导体纳米材料的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 铟基半导体纳米材料的研究背景和现状 | 第17-26页 |
| 1.3.1 InOOH、In_2O_3、InN 的基本结构与性质 | 第18-19页 |
| 1.3.2 InOOH、In_2O_3、InN 纳米结构的制备进展 | 第19-26页 |
| 1.3.2.1 InOOH 纳米结构的制备进展 | 第19-21页 |
| 1.3.2.2 In_2O_3纳米结构的制备进展 | 第21-24页 |
| 1.3.2.3 InN 纳米结构的制备进展 | 第24-26页 |
| 1.4 纳米材料的高压研究 | 第26-30页 |
| 1.5 本论文的选题依据和研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 样品的制备、表征及高压研究方法 | 第32-42页 |
| 2.1 制备方法及设备 | 第32-36页 |
| 2.1.1 水热/溶剂热法 | 第32-35页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法 | 第35-36页 |
| 2.2 表征方法 | 第36-38页 |
| 2.2.1 结构分析 | 第36-37页 |
| 2.2.2 形貌分析 | 第37页 |
| 2.2.3 热学性质分析 | 第37-38页 |
| 2.2.4 光学性质分析 | 第38页 |
| 2.3 高压实验装置与实验技术 | 第38-42页 |
| 2.3.1 高压实验装置 | 第38-39页 |
| 2.3.2 高压同步辐射 X 射线衍射 | 第39-42页 |
| 第三章 升温速率对溶剂热合成纳米材料的影响 | 第42-68页 |
| 3.1 引言 | 第42-49页 |
| 3.1.1 化学参量对溶剂热合成纳米材料的影响 | 第42-44页 |
| 3.1.2 热力学参量对溶剂热合成纳米材料的影响 | 第44-49页 |
| 3.1.3 动力学参量对溶剂热合成纳米材料的影响 | 第49页 |
| 3.2 升温速率对溶剂热合成 InOOH 和 In2O3纳米材料的影响 | 第49-67页 |
| 3.2.1 升温速率对 InOOH 和 In_2O_3成核温度的影响 | 第50-57页 |
| 3.2.1.1 实验过程 | 第50页 |
| 3.2.1.2 实验结果与分析 | 第50-57页 |
| 3.2.2 升温速率对 InOOH 转化为 In2O3过程的影响 | 第57-59页 |
| 3.2.3 升温速率对 In_2O_3纳米立方块生长机制的影响 | 第59-64页 |
| 3.2.3.1 实验过程 | 第59-60页 |
| 3.2.3.2 实验结果与分析 | 第60-64页 |
| 3.2.4 升温速率对合成的 InOOH 和 In2O3光学性质的影响 | 第64-67页 |
| 3.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 In_2O_3和 InN 纳米结构的高压研究 | 第68-88页 |
| 4.1 In_2O_3纳米立方块的高压研究 | 第68-77页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第68-69页 |
| 4.1.2 样品的制备 | 第69-70页 |
| 4.1.3 实验过程 | 第70-71页 |
| 4.1.4 高压同步辐射 X 射线衍射实验结果与分析 | 第71-76页 |
| 4.1.5 小结 | 第76-77页 |
| 4.2 InN 纳米线的高压研究 | 第77-85页 |
| 4.2.1 研究背景 | 第77-78页 |
| 4.2.2 样品的制备 | 第78-80页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第80页 |
| 4.2.4 高压同步辐射 X 射线衍射实验结果与分析 | 第80-85页 |
| 4.2.5 小结 | 第85页 |
| 4.3 本章小结 | 第85-88页 |
| 第五章 结论与展望 | 第88-92页 |
| 5.1 结论 | 第88-90页 |
| 5.2 展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-112页 |
| 作者简历 | 第112-114页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及专利 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
