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硅单晶等径阶段直径模型辨识与控制研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第8-14页
    1.1 研究背景及意义第8-9页
    1.2 直拉硅单晶工艺流程第9-10页
    1.3 直拉硅单晶生长过程建模与控制研究现状第10-12页
        1.3.1 生长过程建模研究现状第10-11页
        1.3.2 生长过程控制研究现状第11-12页
    1.4 论文研究的主要内容和章节安排第12-14页
2 硅单晶生长原理及控制方法第14-20页
    2.1 硅单晶生长原理第14-16页
        2.1.1 热场温度对硅单晶直径作用第14-15页
        2.1.2 提拉速度对硅单晶直径作用第15-16页
    2.2 硅单晶控制结构第16-18页
        2.2.1 传统晶体直径控制系统结构第16-17页
        2.2.2 恒拉速晶体直径控制系统结构第17-18页
    2.3 硅单晶生长过程辨识与控制策略第18-19页
    2.4 本章小结第19-20页
3 硅单晶等径阶段模型辨识第20-44页
    3.1 辨识数据来源第20-21页
    3.2 热场温度-晶体直径过程特性分析第21-22页
    3.3 硅单晶模型辨识第22-36页
        3.3.1 数据预处理第24页
        3.3.2 模型时滞确定第24-26页
        3.3.3 模型输入输出阶次确定第26-28页
        3.3.4 基于BP网络的模型参数辨识第28-31页
        3.3.5 基于栈式稀疏自动编码器的模型参数辨识第31-34页
        3.3.6 模型检验第34-36页
    3.4 模型辨识实验第36-42页
    3.5 本章小结第42-44页
4 硅单晶直径控制第44-54页
    4.1 预测控制原理第44-46页
    4.2 基于神经网络的非线性预测控制第46-49页
        4.2.1 基于神经网络的递推多步预测模型第46-47页
        4.2.2 基于神经网络的广义预测控制第47-48页
        4.2.3 预测模型在线修正第48-49页
        4.2.4 基于神经网络的广义预测控制算法实现步骤第49页
    4.3 仿真控制实验第49-53页
    4.4 本章小结第53-54页
5 总结与展望第54-56页
    5.1 工作总结第54页
    5.2 研究展望第54-56页
致谢第56-58页
参考文献第58-61页

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