当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
微电子学、集成电路(IC)
--
半导体集成电路(固体电路)
--
场效应型
高性能皮瓦级CMOS电压基准源的设计
基于65nm CMOS工艺快速瞬态响应LDO的设计与实现
低温漂高电源抑制比带隙基准电压源的设计
深亚微米和纳米级集成电路的辐照效应及抗辐照加固技术
基于0.13微米CMOS工艺抗辐射加固单元库设计及验证
CMOS数字集成电路栅氧化层穿通的定位与改进
概率性电路的渐近线性分析与概率分配策略研究
基于Perl和Verilog-A的随机故障注入技术研究
基于65纳米CMOS工艺基准电压电流源的设计
基于量子元胞自动机的同或门分析与设计
低压CMOS工艺可控硅结构静电防护器件设计
一个基于65nm工艺带隙基准源的设计及低功耗低温漂优化
一款基于40nm CMOS工艺的高速CDR电路的设计与分析
低功耗高PSRR无线能量管理单元的研究与设计
基于0.54μm CMOS工艺的ESD防护研究
高k栅介质CMOS集成电路老化模型研究
基于浮栅MOS管的动态电路研究
CMOS带隙基准电压源的研究与设计
基于65nm CMOS工艺的低功耗模拟基带电路研究与设计
基于65nm CMOS工艺的宽带模拟基带电路研究与设计
具有高阶曲率补偿的低压开关电容式带隙基准源研究与设计
CMOS射频集成电路中的关键电源技术研究
基于CMOS工艺的单片光电探测器及其放大电路设计
基于0.18um和65nm商用CMOS工艺的热载流子注入效应研究
基于65nm商用CMOS工艺的经时击穿效应研究
具有高抗浪涌能力的TRENCH DMOS设计
低压带隙基准源的设计
CMOS超宽带开关的电路设计
一种原边反馈式反激变换器的设计
基于CMOS工艺的全芯片ESD设计
CMOS带隙基准源研究以及应用
50Mbps低功耗时钟数据恢复电路设计
抗辐射PWM DPS时序电路的研究
SOI全介质隔离CMOS模拟开关的设计与研究
纳米工艺下低压低功耗高精度电压基准源的研究与设计
基于TIA/EIA-899的MLVDS驱动器关键技术的研究
高压自偏置带隙基准源的设计
关于纳米器件中介质膜界面粗糙度对电特性及其均匀性的影响
CMOS毫米波雷达收发芯片关键模块的研究与设计
CMOS射频集成电路衬底电磁干扰抑制的分析与设计
高k/金属栅的可靠性研究
基于传输线的130 nm CMOS微波与毫米波电路设计
符号化仿真器用于CMOS模拟集成电路设计自动化的新进展
基于电路级的低功耗关键技术研究
衬底电阻对CMOS电路的影响分析
一种基于PWM控制的白光LED驱动器的设计
32纳米低功耗高性能CMOS多米诺电路的设计与研究
1.2Gbps串行通信中的时钟与数据恢复电路设计
轻掺杂型衬底混合信号集成电路中衬底耦合噪声的建模
高效率电荷泵LED驱动电路设计
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
下一页