| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第8页 |
| 1.2 基准源的发展历史和现状 | 第8-10页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 基准源的理论基础 | 第11-23页 |
| 2.1 基准源的技术指标 | 第11-15页 |
| 2.1.1 线性调整率 | 第12页 |
| 2.1.2 温度系数（Temperature coefficient,TC） | 第12-13页 |
| 2.1.3 电源电压抑制比（power supply reject ratio，PSRR） | 第13-14页 |
| 2.1.4 其它指标 | 第14-15页 |
| 2.2 带隙基准源的基本原理 | 第15-17页 |
| 2.2.1 负温度系数电压 | 第16页 |
| 2.2.2 正温度系数电压 | 第16-17页 |
| 2.2.3 实现零温度系数的基准电压 | 第17页 |
| 2.3 传统带隙基准源的几种结构 | 第17-22页 |
| 2.3.1 Widlar带隙基准电压源 | 第17-18页 |
| 2.3.2 Kuijk带隙基准电压源 | 第18-19页 |
| 2.3.3 Brokaw带隙基准源电路 | 第19-21页 |
| 2.3.4 CMOS带隙基准源 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 CMOS基准源电路的误差来源以及温度补偿方法 | 第23-40页 |
| 3.1 CMOS带隙基准源电路的误差来源 | 第23-30页 |
| 3.1.1 运放输入失调电压 | 第23-28页 |
| 3.1.2 电流镜失配 | 第28-30页 |
| 3.1.3 电阻失配 | 第30页 |
| 3.2 带隙基准源的高阶温度补偿技术 | 第30-38页 |
| 3.2.1 BEV的高阶温度特性 | 第30-31页 |
| 3.2.2 利用不同温度系数的电阻实现补偿 | 第31-33页 |
| 3.2.3 线性化温度补偿 | 第33-35页 |
| 3.2.4 二阶曲率补偿技术 | 第35-36页 |
| 3.2.5 指数型曲率补偿技术 | 第36-37页 |
| 3.2.6 分段线性补偿技术 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 CMOS带隙基准电压源的设计及应用 | 第40-62页 |
| 4.1 CMOS带隙基准源设计的模型 | 第40-42页 |
| 4.2 CMOS带隙基准电路设计 | 第42-53页 |
| 4.2.1 运算放大器设计以及测试 | 第43-45页 |
| 4.2.2 运放偏置电路设计 | 第45-46页 |
| 4.2.3 提高CMOS带隙基准电压源PSRR方案 | 第46-49页 |
| 4.2.4 启动电路设计 | 第49-50页 |
| 4.2.5 CMOS带隙基准电压源完整电路及参数设计 | 第50-53页 |
| 4.3 CMOS带隙基准电压源验证仿真 | 第53-59页 |
| 4.4 CMOS带隙电压源转换为电流源设计 | 第59-61页 |
| 4.4.1 基准电流产生原理以及设计 | 第59页 |
| 4.4.2 基准电流源仿真验证 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 基于带隙基准源的低压差线性稳压器设计 | 第62-67页 |
| 5.1 低压差线性稳压器基本原理 | 第62-63页 |
| 5.2 LDO相关参数指标 | 第63-64页 |
| 5.3 以带隙基准电压源为基础的传统LDO仿真验证 | 第64-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
