高压自偏置带隙基准源的设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 基准源的发展历史与现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的主要内容及意义 | 第14-15页 |
| 第2章 基准源的结构及工作原理 | 第15-30页 |
| 2.1 带隙基准的理论依据 | 第15-16页 |
| 2.1.1 与电压无关原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 与温度无关原理 | 第16页 |
| 2.2 基准源的设计原理 | 第16-20页 |
| 2.2.1 二极管特性 | 第17-18页 |
| 2.2.2 独立于电源电压的基准 | 第18-20页 |
| 2.3 带隙基准电压源 | 第20-21页 |
| 2.4 典型的带隙基准 | 第21-22页 |
| 2.5 CMOS 带隙基准电路 | 第22-23页 |
| 2.6 恒定跨导偏置 | 第23-25页 |
| 2.7 基准电流源中补偿电阻 | 第25-30页 |
| 第3章 自偏置耐高压基准源 | 第30-42页 |
| 3.1 基准基本模块及功能 | 第30-31页 |
| 3.2 有启动功能的偏置电路模块 | 第31-33页 |
| 3.3 基准核心电路模块 | 第33-36页 |
| 3.4 产生一个不随电源电压变化的 Vref | 第36-37页 |
| 3.5 基准电流电路 | 第37-40页 |
| 3.6 PGOOD CTRL 电路 | 第40-42页 |
| 第4章 带隙基准的版图设计 | 第42-55页 |
| 4.1 抗干扰设计 | 第42-44页 |
| 4.2 匹配性设计 | 第44-46页 |
| 4.2.1 随机分配 | 第44页 |
| 4.2.2 系统分配 | 第44-46页 |
| 4.3 寄生优化设计 | 第46-49页 |
| 4.4 基准源各个模块版图设计 | 第49-53页 |
| 4.4.1 齐纳二极管版图设计 | 第49-50页 |
| 4.4.2 高压 PMOS 版图设计 | 第50-52页 |
| 4.4.3 横向 PNP | 第52-53页 |
| 4.5 基准电路总体版图 | 第53-55页 |
| 第5章 整体电路的仿真结果 | 第55-63页 |
| 5.1 仿真环境介绍 | 第55-56页 |
| 5.2 基准源的仿真结果 | 第56-61页 |
| 5.2.1 基准源的线性调整率 | 第56-57页 |
| 5.2.2 基准源的温度特性 | 第57-59页 |
| 5.2.3 基准源的电源电压抑制比 | 第59-60页 |
| 5.2.4 轨到轨放大器稳定性仿真 | 第60-61页 |
| 5.3 后仿真数据 | 第61-63页 |
| 第6章 总结 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
