| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-16页 |
| 1.1.1 浮栅器件的选题背景 | 第14-15页 |
| 1.1.2 国内外的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2 本文的主要研究内容 | 第16页 |
| 1.3 本文章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 浮栅MOS管的分析 | 第18-30页 |
| 2.1 浮栅MOS器件的结构组成部分 | 第18-21页 |
| 2.1.1 什么是浮栅MOS器件 | 第18页 |
| 2.1.2 浮栅MOS器件的结构成分 | 第18-20页 |
| 2.1.3 浮栅器件的互补结构介绍 | 第20-21页 |
| 2.1.4 浮栅器件特点的综述 | 第21页 |
| 2.2 浮栅MOS管的模型分析 | 第21-24页 |
| 2.2.1 电容模型 | 第22-24页 |
| 2.3 浮栅MOS管的特性分析 | 第24-28页 |
| 2.3.1 浮栅的优点 | 第24-25页 |
| 2.3.2 浮栅MOS器件可控的检验 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 开关-信号理论 | 第30-34页 |
| 3.1 开关-信号理论 | 第30-33页 |
| 3.1.1 开关变量和开关代数 | 第30-31页 |
| 3.1.2 信号变量和信号代数 | 第31-33页 |
| 3.2 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 基于浮栅MOS管的简单动态电路设计 | 第34-64页 |
| 4.1 与门 | 第36-40页 |
| 4.2 或门 | 第40-43页 |
| 4.3 多米诺异或门的设计 | 第43-47页 |
| 4.4 浮栅MOS管动态门电路小结 | 第47-48页 |
| 4.5 利用浮栅MOS管实现布尔函数 | 第48-51页 |
| 4.6 基于浮栅MOS管的双轨(差分)多米诺逻辑门设计 | 第51-56页 |
| 4.6.1 基于浮栅MOS器件的简单差分多米诺与门的设计 | 第52-54页 |
| 4.6.2 基于浮栅MOS器件简单的差分多米诺或门/或非门的设计 | 第54-56页 |
| 4.7 基于浮栅MOS管的动态数值比较器设计 | 第56-63页 |
| 4.7.1 基于浮栅MOS管的数值比较器的仿真 | 第58-59页 |
| 4.7.2 两种数值比较器的比较 | 第59-63页 |
| 4.7.3 小结 | 第63页 |
| 4.8 本章总结 | 第63-64页 |
| 第五章 基于浮栅MOS管的全加器的设计 | 第64-76页 |
| 5.1 基于浮栅MOS管的增强型动态全加器的设计 | 第64-70页 |
| 5.1.1 全加器的定义 | 第64页 |
| 5.1.2 全加器的工作原理 | 第64-66页 |
| 5.1.3 基于浮栅MOS管的增强型动态全加器设计 | 第66-68页 |
| 5.1.4 基于浮栅MOS管增强型动态全加器的工作过程 | 第68-69页 |
| 5.1.5 基于浮栅MOS管的增强型动态全加器的逻辑功能验证 | 第69页 |
| 5.1.6 小结 | 第69-70页 |
| 5.2 基于浮栅MOS管的TSPC全加器设计 | 第70-73页 |
| 5.2.1 传统TSPC全加器的电路结构 | 第70-71页 |
| 5.2.2 传统TSPC全加器的电路的工作过程 | 第71页 |
| 5.2.3 基于浮栅MOS管的TSPC全加器设计 | 第71-72页 |
| 5.2.4 基于浮栅MOS管的TSPC全加器的工作过程 | 第72-73页 |
| 5.2.5 基于浮栅MOS管的TSPC全加器的逻辑功能验证 | 第73页 |
| 5.3 本章小结 | 第73-76页 |
| 第六章 基于浮栅MOS管高速度低噪音动态全加器设计 | 第76-90页 |
| 6.1 传统高速度低噪音动态全加器 | 第76-77页 |
| 6.2 高速度低噪音全加器的逻辑功能验证 | 第77页 |
| 6.3 基于浮栅MOS管的高速度低噪音动态全加器设计 | 第77-80页 |
| 6.3.1 电路结构的组成部分 | 第78页 |
| 6.3.2 基于浮栅MOS管高速度低噪音动态全加器的工作过程 | 第78-79页 |
| 6.3.3 基于浮栅MOS管的高速度低噪音动态全加器逻辑功能验证 | 第79-80页 |
| 6.4 改进后的电路与改进前的电路的比较 | 第80-84页 |
| 6.4.1 电路结构的比较 | 第80页 |
| 6.4.2 延迟比较 | 第80-83页 |
| 6.4.3 平均功耗比较 | 第83-84页 |
| 6.4.4 小结 | 第84页 |
| 6.5 三个基于浮栅MOS管的全加器之间的比较 | 第84-89页 |
| 6.5.1 结构比较 | 第85页 |
| 6.5.2 延迟比较 | 第85-88页 |
| 6.5.3 平均功耗比较 | 第88-89页 |
| 6.5.4 小结 | 第89页 |
| 6.6 本章小结 | 第89-90页 |
| 第七章 本文总结与展望未来 | 第90-92页 |
| 7.1 本文总结 | 第90页 |
| 7.2 展望未来 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 作者简介及读研期间主要科研成果 | 第98-99页 |
