| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 ESD的背景和研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文的主要工作内容 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 ESD保护原理和测试模型 | 第13-26页 |
| 2.1 ESD保护的基本原理 | 第13页 |
| 2.2 ESD测试模型 | 第13-21页 |
| 2.2.1 人体模型 | 第14-16页 |
| 2.2.2 机器模型 | 第16-17页 |
| 2.2.3 器件充电模型 | 第17-19页 |
| 2.2.4 传输线脉冲模型 | 第19-21页 |
| 2.3 测试方法和失效判定方式 | 第21-22页 |
| 2.4 常见失效类型 | 第22-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 ESD设计窗.和常用的ESD保护器件 | 第26-37页 |
| 3.1 ESD设计窗 | 第26-27页 |
| 3.2 二极管 | 第27-28页 |
| 3.3 电阻 | 第28-29页 |
| 3.4 BJT | 第29-31页 |
| 3.5 MOS | 第31-34页 |
| 3.6 SCR | 第34-36页 |
| 3.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 CMOS工艺下SCR器件特性研究 | 第37-59页 |
| 4.1 项目和工艺简要介绍 | 第37-38页 |
| 4.1.1 研究目标 | 第37页 |
| 4.1.2 研究内容 | 第37-38页 |
| 4.1.3 功能技术指标 | 第38页 |
| 4.1.4 0.54μm CMOS工艺介绍 | 第38页 |
| 4.2 SCR器件的触发电压研究 | 第38-46页 |
| 4.2.1 SCR器件触发的基本原理 | 第39页 |
| 4.2.2 改善SCR器件触发电压的方法 | 第39-44页 |
| 4.2.2.1 改变雪崩击穿点的SCR器件 | 第40-41页 |
| 4.2.2.2 经过辅助触发的SCR器件 | 第41-44页 |
| 4.2.3 实验结果及分析 | 第44-46页 |
| 4.3 SCR器件的维持电压研究 | 第46-52页 |
| 4.3.1 提高SCR器件维持电压的方法 | 第47-50页 |
| 4.3.1.1 降低寄生管的放大系数 | 第47页 |
| 4.3.1.2 降低寄生管的发射区注入效率 | 第47-48页 |
| 4.3.1.3 削弱寄生管之间的正反馈 | 第48-49页 |
| 4.3.1.4 利用堆叠SCR结构 | 第49-50页 |
| 4.3.2 实验结果及分析 | 第50-52页 |
| 4.4 SCR器件的开启时间研究 | 第52-57页 |
| 4.4.1 DTSCR开启过程的理论分析及公式推导 | 第53-56页 |
| 4.4.1.1 延迟时间td | 第53-55页 |
| 4.4.1.2 上升时间tr | 第55-56页 |
| 4.4.2 优化版图结构 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 双向结构和全芯片保护电路设计 | 第59-70页 |
| 5.1 双向结构研究 | 第59-66页 |
| 5.1.1 典型双向结构原理分析 | 第59-60页 |
| 5.1.2 实验结果及分析 | 第60-66页 |
| 5.2 全芯片保护方案设计 | 第66-69页 |
| 5.2.1 常用的全芯片保护方案 | 第66-68页 |
| 5.2.2 全芯片保护选择 | 第68-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第77-78页 |