| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 12bit 200Msps Current-Steering DAC总体介绍 | 第15-21页 |
| 2.1 Current-Steering DAC简介 | 第15-17页 |
| 2.1.1 Binary架构 | 第15-16页 |
| 2.1.2 Unary架构 | 第16页 |
| 2.1.3 两种架构的优缺点 | 第16-17页 |
| 2.1.4 Hybrid架构 | 第17页 |
| 2.2 项目总体简介 | 第17-19页 |
| 2.3 电压基准源在Current-Steering DAC中的作用 | 第19-20页 |
| 2.4 基准源设计指标 | 第20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 电压基准源概述 | 第21-39页 |
| 3.1 各类电压基准源的分析比较 | 第21页 |
| 3.2 电压基准源的主要性能指标 | 第21-22页 |
| 3.3 传统带隙基准电压源 | 第22-25页 |
| 3.3.1 带隙基准电压源的性能参数 | 第22-23页 |
| 3.3.2 带隙电压基准的基本原理 | 第23-25页 |
| 3.4 低压低功耗工艺研究 | 第25-29页 |
| 3.4.1 概述 | 第25-26页 |
| 3.4.2 信噪比 | 第26-27页 |
| 3.4.3 电路速度 | 第27页 |
| 3.4.4 功耗 | 第27-29页 |
| 3.5 低压低功耗电压基准源 | 第29-37页 |
| 3.5.1 基于BJT器件的低压基准源电路 | 第29-31页 |
| 3.5.2 基于MOSFET的低压基准源电路 | 第31-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 基于MOSFET亚阈区特性的基准源原理分析 | 第39-50页 |
| 4.1 MOSFET亚阈区特性 | 第39-45页 |
| 4.1.1 MOSFET的结构 | 第39-40页 |
| 4.1.2 MOSFET的工作原理 | 第40-41页 |
| 4.1.3 MOSFET的阈值电压 | 第41-43页 |
| 4.1.4 MOSFET的阈值电压的温度特性 | 第43页 |
| 4.1.5 MOSFET亚阈值状态电流-电压特性 | 第43-45页 |
| 4.2 基于亚阈区MOSFET的CTAT电压源原理分析 | 第45-48页 |
| 4.2.1 亚阈区MOSFET的二阶温度特性 | 第45-46页 |
| 4.2.2 基于亚阈区MOSFET的CTAT电压源原理分析 | 第46-48页 |
| 4.3 PTAT电压源原理分析 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 低压低功耗基准电压源的设计与仿真 | 第50-58页 |
| 5.1 低压低功耗基准电路整体结构 | 第50-54页 |
| 5.1.1 偏置电路 | 第50页 |
| 5.1.2 CTAT电压源电路 | 第50-52页 |
| 5.1.3 PTAT电压源电路 | 第52-53页 |
| 5.1.4 镜像电流源求和（基准输出级）电路 | 第53-54页 |
| 5.2 电路仿真结果 | 第54-57页 |
| 5.2.1 温度系数仿真 | 第54-55页 |
| 5.2.2 功耗仿真 | 第55-56页 |
| 5.2.3 蒙特卡洛仿真 | 第56-57页 |
| 5.2.4 仿真结果总结 | 第57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-59页 |
| 6.1 工作内容总结 | 第58页 |
| 6.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻硕期间取得的科研成果 | 第63-64页 |
