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具有高阶曲率补偿的低压开关电容式带隙基准源研究与设计

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 研究背景及意义第10-11页
    1.2 国内外技术研究现状第11-16页
    1.3 论文研究内容及组织框架第16-19页
    1.4 本章小结第19-20页
第二章 芯片方案设计第20-32页
    2.1 低压带隙基准源理论研究与方案设计第20-26页
        2.1.1 低压带隙基准源理论研究第21-24页
        2.1.2 低压带隙基准源方案设计第24-26页
    2.2 带隙基准源高阶曲率补偿理论研究与方案设计第26-31页
        2.2.1 带隙基准源高阶曲率补偿理论研究第26-30页
        2.2.2 带隙基准源高阶曲率补偿方案设计第30-31页
    2.3 本章小结第31-32页
第三章 芯片设计与仿真第32-65页
    3.1 芯片核心电路设计与仿真第32-54页
        3.1.1 低泄漏电流MOS开关设计与仿真第32-38页
        3.1.2 开关电容式钳位电路设计与仿真第38-43页
        3.1.3 开关电容式高阶曲率补偿电路设计与仿真第43-44页
        3.1.4 开关电容式调节电路设计与仿真第44-48页
        3.1.5 开关电容式线性组合电路设计与仿真第48-54页
    3.2 开关电容控制电路设计与仿真第54-60页
        3.2.1 环形振荡器设计与仿真第55-57页
        3.2.2 电流源设计与仿真第57-58页
        3.2.3 时钟控制电路设计与仿真第58-60页
    3.3 芯片整体电路仿真第60-64页
    3.4 本章小结第64-65页
第四章 芯片版图设计与后仿真第65-72页
    4.1 芯片版图设计第65-66页
    4.2 芯片后仿真第66-71页
    4.3 本章小结第71-72页
总结与展望第72-74页
    工作总结第72页
    展望第72-74页
参考文献第74-78页
攻读硕士期间取得的研究成果第78-79页
致谢第79-80页
附件第80页

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