| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 ESD设计窗口 | 第12-13页 |
| 1.4 ESD等效测试模型 | 第13-15页 |
| 1.4.1 人体模型(HBM) | 第14页 |
| 1.4.2 机器放电模型(MM) | 第14-15页 |
| 1.4.3 充电器件模型(CDM) | 第15页 |
| 1.4.4 IEC模型 | 第15页 |
| 1.5 TCAD | 第15-16页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 内镶二极管串的LVTSCR | 第18-35页 |
| 2.1 传统可控硅(SCR)器件 | 第18-22页 |
| 2.1.1 传统可控硅(SCR)器件结构和工作原理 | 第18-20页 |
| 2.1.2 传统可控硅(SCR)器件的TCAD仿真 | 第20-21页 |
| 2.1.3 传统可控硅(SCR)器件的TLP测试分析 | 第21-22页 |
| 2.2 低触发可控硅(LVTSCR)器件 | 第22-27页 |
| 2.2.1 LVTSCR器件结构和工作原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 LVTSCR器件的TCAD仿真 | 第23-25页 |
| 2.2.3 LVTSCR和SCR器件的TLP测试结果分析 | 第25-27页 |
| 2.3 内镶二极管串的LVTSCR器件 | 第27-33页 |
| 2.3.1 内镶二极管串的LVTSCR器件结构和工作原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 内镶二极管串的LVTSCR器件TCAD仿真 | 第28-31页 |
| 2.3.3 内镶二极管串的LVTSCR器件TLP测试分析 | 第31-33页 |
| 2.4 小结 | 第33-35页 |
| 第3章 双向可控硅器件 | 第35-52页 |
| 3.1 双向可控硅(DDSCR)器件版图研究 | 第35-40页 |
| 3.1.1 双向可控硅器件的结构和工作原理 | 第35-37页 |
| 3.1.2 不同版图双向可控硅器件的TLP测试 | 第37-38页 |
| 3.1.3 不同版图双向可控硅器件的TLP测试结果分析 | 第38-40页 |
| 3.2 双向可控硅(DDSCR)器件结构研究 | 第40-51页 |
| 3.2.1 传统双向可控硅器件的TCAD仿真 | 第40-42页 |
| 3.2.2 传统双向可控硅器件的TLP测试分析 | 第42-43页 |
| 3.2.3 改进型双向可控硅器件的结构剖面图 | 第43-44页 |
| 3.2.4 改进型双向可控硅器件的TCAD仿真 | 第44-48页 |
| 3.2.5 改进型双向可控硅器件的TLP测试分析 | 第48-51页 |
| 3.3 小结 | 第51-52页 |
| 第4章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 个人简历 | 第57-58页 |
| 在校期间发表的学术论文及研究成果 | 第58页 |
