CMOS射频集成电路中的关键电源技术研究
摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-14页 |
1.1 研究背景和意义 | 第10页 |
1.2 国内外发展现状 | 第10-12页 |
1.3 本文主要贡献与创新 | 第12页 |
1.4 本论文的结构安排 | 第12-14页 |
第二章 LDO工作原理及性能分析 | 第14-26页 |
2.1 LDO的工作原理 | 第14-15页 |
2.2 LDO的基本结构 | 第15-19页 |
2.2.1 几种常见拓扑 | 第15-16页 |
2.2.2 典型结构分析 | 第16-19页 |
2.3 LDO的主要性能指标 | 第19-25页 |
2.3.1 压差电压和静态电流 | 第19-21页 |
2.3.2 负载调整率和线性调整率 | 第21页 |
2.3.3 噪声和瞬态响应特性 | 第21-23页 |
2.3.4 电源纹波抑制 | 第23-25页 |
2.4 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 LDO的环路稳定性和瞬态响应分析 | 第26-40页 |
3.1 LDO线性稳压器稳定性分析 | 第26-29页 |
3.2 稳定性补偿方法 | 第29-34页 |
3.2.1 阻抗衰减 | 第30-31页 |
3.2.2 Q值衰减 | 第31-33页 |
3.2.3 嵌套弥勒补偿 | 第33-34页 |
3.3 LDO线性稳压器瞬态响应分析 | 第34-35页 |
3.4 瞬态性能增强方法 | 第35-39页 |
3.4.1 动态电流偏置 | 第36-37页 |
3.4.2 瞬时电流倍增 | 第37-38页 |
3.4.3 输出管栅极驱动增强 | 第38-39页 |
3.5 本章小结 | 第39-40页 |
第四章 基于输出管栅极驱动增强的LDO设计 | 第40-56页 |
4.1 设计指标 | 第40页 |
4.2 电压基准源的设计 | 第40-45页 |
4.2.1 带隙基准的核心结构 | 第42-43页 |
4.2.2 带隙基准中的运算放大器 | 第43-44页 |
4.2.3 偏置结构和启动电路 | 第44-45页 |
4.3 稳压器的设计 | 第45-49页 |
4.3.1 误差放大器的设计 | 第46-47页 |
4.3.2 输出管栅极驱动增强电路 | 第47-48页 |
4.3.3 输出管的选择 | 第48-49页 |
4.4 稳定性补偿 | 第49-54页 |
4.4.1 LDO稳定性分析 | 第49-52页 |
4.4.2 LDO稳定性仿真验证 | 第52-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-56页 |
第五章 LDO的版图、仿真与测试 | 第56-72页 |
5.1 LDO的版图 | 第56-57页 |
5.2 带隙基准仿真结果 | 第57-60页 |
5.3 LDO系统仿真结果 | 第60-66页 |
5.3.1 直流特性仿真结果 | 第60-63页 |
5.3.2 瞬态响应仿真结果 | 第63-65页 |
5.3.6 电源纹波抑制仿真结果 | 第65-66页 |
5.4 测试系统搭建 | 第66-68页 |
5.5 测试结果及分析 | 第68-71页 |
5.5.1 直流特性测试结果 | 第68-70页 |
5.5.2 瞬态特性测试结果 | 第70-71页 |
5.6 本章小结 | 第71-72页 |
第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
6.1 全文总结 | 第72页 |
6.2 后续工作展望 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第79页 |