| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 CMOS 电路中衬底效应问题的引出 | 第11-15页 |
| 1.1 信号线的耦合 | 第11-12页 |
| 1.2 电源电压消耗 | 第12页 |
| 1.3 衬底电压不稳 | 第12-14页 |
| 1.4 本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 CMOS 电路中各类寄生效应简介 | 第15-20页 |
| 2.1 金属连接线上的寄生效应 | 第15-17页 |
| 2.1.1 金属连接线自身的寄生电阻和寄生电容 | 第15-16页 |
| 2.1.2 金属连接线之间寄生效应 | 第16-17页 |
| 2.2 电源波动所带来的干扰 | 第17页 |
| 2.3 MOS 管的衬底电压所导致的问题 | 第17-19页 |
| 2.3.1 衬底电压的波动对电路性能影响显著 | 第17-18页 |
| 2.3.2 目前仿真软件无法很好的完成衬底的影响 | 第18页 |
| 2.3.3 对于大尺寸芯片，固定衬底的工作量巨大 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 现有衬底寄生效应情况的研究 | 第20-24页 |
| 3.1 基本称底电流模型 | 第20-21页 |
| 3.2 其他主要称底电流模型的研究 | 第21页 |
| 3.3 现有的衬底噪声的模型 | 第21-22页 |
| 3.4 现有模型的缺陷 | 第22-23页 |
| 3.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第四章 电路级 MOS 管衬底建模原则及分析方法 | 第24-27页 |
| 4.1 衬底寄生模型建模的原则 | 第24页 |
| 4.2 衬底寄生模型建模的基本方法 | 第24-26页 |
| 4.3 衬底寄生模型的基本分析方法 | 第26页 |
| 4.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第五章 模型的仿真及分析 | 第27-48页 |
| 5.1 单个 MOS 的建模与仿真分析 | 第27-33页 |
| 5.1.1 单个MOS 管的电路及版图模型 | 第27-28页 |
| 5.1.2 单个MOS 管的理论寄生效应分析 | 第28-29页 |
| 5.1.3 单个MOS 管的实际电路仿真分析 | 第29-32页 |
| 5.1.4 单个MOS 管的寄生电阻效应结论 | 第32-33页 |
| 5.2 寄生电阻效应在累积效应的电路的分析 | 第33-39页 |
| 5.2.1 累积效应的电路建模 | 第33-34页 |
| 5.2.2 累积效应的电路的电路仿真 | 第34-39页 |
| 5.2.3 累积效应的电路中寄生电阻效应的结论 | 第39页 |
| 5.3 寄生电阻效应在模拟电路中的分析 | 第39-47页 |
| 5.3.1 寄生电阻效应对差分对的影响 | 第39-45页 |
| 5.3.1.1 带有寄生电阻的差分对建模 | 第39-40页 |
| 5.3.1.2 带有寄生电阻的差分对理论分析 | 第40-42页 |
| 5.3.1.3 带有寄生电阻的差分对实际仿真分析 | 第42-45页 |
| 5.3.2 寄生电阻效应在自衬电路中的影响 | 第45页 |
| 5.3.3 寄生电阻效应在Bandgap 电路中的影响 | 第45-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 实际数模混合电路的寄生电阻仿真分析 | 第48-58页 |
| 6.1 实际数模混合电路的建模 | 第48-51页 |
| 6.2 实际数模混合电路的仿真分析 | 第51-57页 |
| 6.3 寄生电阻对实际数模混合电路的影响总结 | 第57页 |
| 6.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第七章 预见和解决寄生电阻效应的方法 | 第58-61页 |
| 7.1 从版图规范上减少寄生电阻 | 第58页 |
| 7.2 数字补偿电路设计 | 第58-60页 |
| 7.3 解决电路仿真寄生效应小结 | 第60页 |
| 7.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第八章 结束语 | 第61-62页 |
| 8.1 文章小结 | 第61页 |
| 8.2 后续工作及展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第65-67页 |