| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-17页 |
| 1.1 功率DMOS简介 | 第10-13页 |
| 1.2 浪涌能力概述 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状及选题意义 | 第14-16页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 TRENCH DMOS基本原理和关键参数 | 第17-30页 |
| 2.1 TRENCH DMOS基本工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 DMOS的关键静态电学参数 | 第18-24页 |
| 2.2.1 击穿电压 | 第18-19页 |
| 2.2.2 阈值电压 | 第19-20页 |
| 2.2.3 导通电阻 | 第20-23页 |
| 2.2.4 电流能力 | 第23-24页 |
| 2.3 DMOS的关键动态电学参数 | 第24-28页 |
| 2.3.1 栅电容 | 第24-27页 |
| 2.3.2 栅电荷 | 第27-28页 |
| 2.4 终端理论 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 TRENCH DMOS的抗浪涌能力 | 第30-38页 |
| 3.1 正向浪涌能力 | 第30-33页 |
| 3.1.1 体二极管正向浪涌电流能力 | 第30-32页 |
| 3.1.2 MOSFET正向浪涌电流能力 | 第32-33页 |
| 3.2 反向浪涌能力 | 第33-37页 |
| 3.2.1 UIS | 第33-37页 |
| 3.2.2 恒定反向浪涌电流能力 | 第37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 TRENCH DMOS结构的优化设计 | 第38-70页 |
| 4.1 TRENCH DMOS的工艺流程设计 | 第38-42页 |
| 4.2 TRENCH DMOS设计指标及初始值 | 第42-44页 |
| 4.3 TRENCH DMOS关键电学参数的优化设计 | 第44-59页 |
| 4.3.1 击穿电压的设计 | 第44-47页 |
| 4.3.2 阈值电压的设计 | 第47-51页 |
| 4.3.3 栅电容的设计 | 第51-55页 |
| 4.3.4 雪崩击穿点的优化 | 第55-57页 |
| 4.3.5 元胞仿真结果 | 第57-59页 |
| 4.4 终端结构设计 | 第59-64页 |
| 4.4.1 等位环终端 | 第59-60页 |
| 4.4.2 等位环+场限环终端 | 第60-64页 |
| 4.5 抗浪涌能力验证 | 第64-68页 |
| 4.5.1 正向浪涌电流能力 | 第64-66页 |
| 4.5.2 反向浪涌能力 | 第66-68页 |
| 4.6 版图设计 | 第68页 |
| 4.7 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 测试分析 | 第70-75页 |
| 5.1 关键电学参数 | 第70-71页 |
| 5.2 抗浪涌能力 | 第71-74页 |
| 5.2.1 正向浪涌能力测试 | 第71-73页 |
| 5.2.2 反向浪涌能力测试 | 第73-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第80页 |