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具有高抗浪涌能力的TRENCH DMOS设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 引言第10-17页
    1.1 功率DMOS简介第10-13页
    1.2 浪涌能力概述第13-14页
    1.3 国内外研究现状及选题意义第14-16页
    1.4 本文主要工作第16-17页
第二章 TRENCH DMOS基本原理和关键参数第17-30页
    2.1 TRENCH DMOS基本工作原理第17-18页
    2.2 DMOS的关键静态电学参数第18-24页
        2.2.1 击穿电压第18-19页
        2.2.2 阈值电压第19-20页
        2.2.3 导通电阻第20-23页
        2.2.4 电流能力第23-24页
    2.3 DMOS的关键动态电学参数第24-28页
        2.3.1 栅电容第24-27页
        2.3.2 栅电荷第27-28页
    2.4 终端理论第28-29页
    2.5 本章小结第29-30页
第三章 TRENCH DMOS的抗浪涌能力第30-38页
    3.1 正向浪涌能力第30-33页
        3.1.1 体二极管正向浪涌电流能力第30-32页
        3.1.2 MOSFET正向浪涌电流能力第32-33页
    3.2 反向浪涌能力第33-37页
        3.2.1 UIS第33-37页
        3.2.2 恒定反向浪涌电流能力第37页
    3.3 本章小结第37-38页
第四章 TRENCH DMOS结构的优化设计第38-70页
    4.1 TRENCH DMOS的工艺流程设计第38-42页
    4.2 TRENCH DMOS设计指标及初始值第42-44页
    4.3 TRENCH DMOS关键电学参数的优化设计第44-59页
        4.3.1 击穿电压的设计第44-47页
        4.3.2 阈值电压的设计第47-51页
        4.3.3 栅电容的设计第51-55页
        4.3.4 雪崩击穿点的优化第55-57页
        4.3.5 元胞仿真结果第57-59页
    4.4 终端结构设计第59-64页
        4.4.1 等位环终端第59-60页
        4.4.2 等位环+场限环终端第60-64页
    4.5 抗浪涌能力验证第64-68页
        4.5.1 正向浪涌电流能力第64-66页
        4.5.2 反向浪涌能力第66-68页
    4.6 版图设计第68页
    4.7 本章小结第68-70页
第五章 测试分析第70-75页
    5.1 关键电学参数第70-71页
    5.2 抗浪涌能力第71-74页
        5.2.1 正向浪涌能力测试第71-73页
        5.2.2 反向浪涌能力测试第73-74页
    5.3 本章小结第74-75页
第六章 总结与展望第75-76页
致谢第76-77页
参考文献第77-80页
攻读硕士学位期间取得的成果第80页

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