低温漂高电源抑制比带隙基准电压源的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 发展历史 | 第12-14页 |
| 1.3 研究现状 | 第14-20页 |
| 1.3.1 低温漂系数方向 | 第15-16页 |
| 1.3.2 低压低功耗方向 | 第16-17页 |
| 1.3.3 高电源抑制比方向 | 第17-19页 |
| 1.3.4 其他研究方向 | 第19-20页 |
| 1.4 本文的主要安排 | 第20-21页 |
| 第2章 电压基准源的基本原理 | 第21-37页 |
| 2.1 电压基准源的分类 | 第21-26页 |
| 2.1.1 掩埋稳压基准管基准 | 第21-22页 |
| 2.1.2 带隙基准 | 第22-24页 |
| 2.1.3 XFET基准 | 第24-25页 |
| 2.1.4 E/D NMOS基准 | 第25页 |
| 2.1.5 不同基准源性能总结 | 第25-26页 |
| 2.2 带隙基准的性能参数 | 第26-28页 |
| 2.2.1 精度 | 第26页 |
| 2.2.2 温漂系数(TC) | 第26-27页 |
| 2.2.3 电源抑制比(PSRR) | 第27页 |
| 2.2.4 线性调整率 | 第27-28页 |
| 2.2.5 启动时间 | 第28页 |
| 2.2.6 噪声 | 第28页 |
| 2.2.7 功耗 | 第28页 |
| 2.3 几种经典带隙基准源结构 | 第28-34页 |
| 2.3.1 BJT工艺带隙基准 | 第28-31页 |
| 2.3.2 CMOS工艺带隙基准 | 第31-34页 |
| 2.4 带隙基准的误差分析 | 第34-36页 |
| 2.4.1 运放失调 | 第34-35页 |
| 2.4.2 电流镜失配 | 第35-36页 |
| 2.4.3 电阻失配 | 第36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 基准电压源的设计 | 第37-49页 |
| 3.1 带隙基准源性能设计目标 | 第37页 |
| 3.2 基准源的基本结构 | 第37-38页 |
| 3.3 放大器的选择与设计 | 第38-43页 |
| 3.3.1 放大器的选择 | 第38-39页 |
| 3.3.2 放大器的性能参数 | 第39页 |
| 3.3.3 运算放大器的设计 | 第39-42页 |
| 3.3.4 偏置电路的设计 | 第42-43页 |
| 3.4 带隙基准源的设计 | 第43-48页 |
| 3.4.1 核心电路的设计 | 第43-44页 |
| 3.4.2 低温漂系数的实现 | 第44-46页 |
| 3.4.3 带隙基准源PSRR分析与提高方法 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 基准电压源的设计与仿真 | 第49-59页 |
| 4.1 运算放大器的仿真 | 第49-52页 |
| 4.2 带隙基准电压源的仿真 | 第52-58页 |
| 4.2.1 传统基准源的仿真 | 第52-54页 |
| 4.2.2 二阶曲率补偿带隙基准源的仿真 | 第54页 |
| 4.2.3 电路的完整结构及仿真 | 第54-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 版图设计与验证 | 第59-67页 |
| 5.1 版图设计概述 | 第59-63页 |
| 5.1.1 版图设计规则 | 第59-60页 |
| 5.1.2 匹配性设计 | 第60-62页 |
| 5.1.3 耦合问题 | 第62-63页 |
| 5.2 基准源的版图设计 | 第63-66页 |
| 5.2.1 三极管的版图 | 第63-64页 |
| 5.2.2 运放的版图设计 | 第64-65页 |
| 5.2.3 带隙基准源的整体版图 | 第65-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
