| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第17-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-24页 |
| 第一章 绪论 | 第24-36页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第24-28页 |
| 1.1.1 辐射环境 | 第24-26页 |
| 1.1.2 抗辐照大规模集成电路的应用需求 | 第26-28页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第28-33页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第33页 |
| 1.4 本文组织结构 | 第33-36页 |
| 第二章 电离辐射总剂量效应及加固技术 | 第36-66页 |
| 2.1 CMOS器件的总剂量效应概述 | 第36-44页 |
| 2.1.1 电荷生成 | 第36-37页 |
| 2.1.2 氧化层陷阱电荷俘获 | 第37-38页 |
| 2.1.3 界面陷阱电荷俘获 | 第38页 |
| 2.1.4 器件特性改变 | 第38-40页 |
| 2.1.5 边缘漏电效应 | 第40-43页 |
| 2.1.6 NMOSFET漏电流的影响因素 | 第43-44页 |
| 2.2 0.18 μm NMOSFET总剂量辐照实验 | 第44-57页 |
| 2.2.1 core晶体管的总剂量响应 | 第44-48页 |
| 2.2.2 I/O晶体管的总剂量响应 | 第48-53页 |
| 2.2.3 总剂量效应对晶体管特性参数的影响 | 第53-57页 |
| 2.3 0.18 μm NMOSFET抗总剂量加固技术 | 第57-61页 |
| 2.3.1 无边缘晶体管 | 第57-59页 |
| 2.3.2 无边缘晶体管SPICE建模 | 第59-61页 |
| 2.4 纳米器件的总剂量效应 | 第61-64页 |
| 2.4.1 65 nm体硅CMOS器件的总剂量效应 | 第61-62页 |
| 2.4.2 工艺缩减对纳米器件总剂量效应的影响 | 第62-64页 |
| 2.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第三章 单粒子效应的机理 | 第66-98页 |
| 3.1 单粒子效应概述 | 第66-69页 |
| 3.2 单粒子瞬态的产生和传播 | 第69-80页 |
| 3.2.1 数字电路中的SET效应 | 第69-70页 |
| 3.2.2 SET脉冲在组合逻辑电路中的传播 | 第70-80页 |
| 3.3 单粒子翻转的形成机制 | 第80-88页 |
| 3.3.1 SEU的物理机制 | 第80页 |
| 3.3.2 SEU模拟仿真 | 第80-88页 |
| 3.4 单粒子效应的若干影响因素 | 第88-97页 |
| 3.4.1 工艺缩减 | 第88-89页 |
| 3.4.2 工作频率提升 | 第89-90页 |
| 3.4.3 离子能量 | 第90页 |
| 3.4.4 离子入射位置 | 第90-91页 |
| 3.4.5 阱接触 | 第91-93页 |
| 3.4.6 离子入射角度和阱结构 | 第93-97页 |
| 3.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 第四章 单粒子效应的加固技术 | 第98-124页 |
| 4.1 单粒子效应加固技术回顾 | 第98-107页 |
| 4.1.1 工艺加固 | 第98-102页 |
| 4.1.2 设计加固 | 第102-107页 |
| 4.2 一种抗单粒子翻转的新型SRAM单元电路设计 | 第107-115页 |
| 4.3 抗辐射加固标准数字单元库设计 | 第115-122页 |
| 4.3.1 抗辐照加固标准数字单元设计 | 第115-117页 |
| 4.3.2 抗辐照加固标准数字单元库开发 | 第117-118页 |
| 4.3.3 抗辐照加固标准数字单元库的特征化 | 第118-120页 |
| 4.3.4 抗辐照加固标准数字单元测试芯片设计 | 第120-122页 |
| 4.4 本章小结 | 第122-124页 |
| 第五章 电路级抗辐照加固设计 | 第124-148页 |
| 5.1 0.18 μm抗辐照CMOS电路设计 | 第124-135页 |
| 5.1.1 抗总剂量加固基准偏置电路设计 | 第124-129页 |
| 5.1.2 芯片测试结果分析 | 第129-131页 |
| 5.1.3 评价电路总剂量效应的正向体偏置法 | 第131-135页 |
| 5.2 65 nm抗辐照CMOS电路设计 | 第135-147页 |
| 5.2.1 电路核心模块设计方案 | 第136-143页 |
| 5.2.2 芯片抗辐照加固设计 | 第143-147页 |
| 5.3 本章小结 | 第147-148页 |
| 第六章 总结与展望 | 第148-152页 |
| 6.1 本文主要贡献 | 第148-149页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第149-152页 |
| 参考文献 | 第152-162页 |
| 致谢 | 第162-164页 |
| 作者简介 | 第164-166页 |
