| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 SOI技术概述 | 第9-10页 |
| 1.2 模拟开关的发展现状及应用 | 第10-12页 |
| 1.3 SOI介质隔离CMOS模拟开关的简述 | 第12-15页 |
| 1.4 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 模拟开关工艺与器件的设计与仿真 | 第17-35页 |
| 2.1 模拟开关电路工艺设计 | 第17-26页 |
| 2.1.1 基于SOI全介质隔离Trench工艺设计 | 第17-18页 |
| 2.1.2 模拟开关电路的工艺流程设计 | 第18-26页 |
| 2.2 模拟开关的器件设计与仿真 | 第26-34页 |
| 2.2.1 NMOS器件的设计与仿真 | 第26-31页 |
| 2.2.1.1 阈值电压的仿真 | 第26-27页 |
| 2.2.1.2 比导通电阻的仿真 | 第27-29页 |
| 2.2.1.3 击穿电压的仿真 | 第29-31页 |
| 2.2.1.4 NMOS器件仿真小结 | 第31页 |
| 2.2.2 PMOS器件的设计与仿真 | 第31-34页 |
| 2.2.2.1 阈值电压的仿真 | 第31-32页 |
| 2.2.2.2 比导通电阻的仿真 | 第32-33页 |
| 2.2.2.3 击穿电压的仿真 | 第33-34页 |
| 2.2.2.4 PMOS器件仿真小结 | 第34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 模拟开关的电路设计与仿真 | 第35-51页 |
| 3.1 模拟开关的电路设计 | 第35-42页 |
| 3.1.1 ESD保护电路 | 第35-37页 |
| 3.1.2 输入电路 | 第37-38页 |
| 3.1.3 缓冲电路 | 第38-39页 |
| 3.1.4 电平位移电路 | 第39-40页 |
| 3.1.5 MOS开关电路 | 第40-42页 |
| 3.2 模拟开关的电路仿真 | 第42-49页 |
| 3.2.1 模拟参数仿真 | 第42-45页 |
| 3.2.2 数字参数仿真 | 第45-47页 |
| 3.2.3 动态特性参数仿真 | 第47-48页 |
| 3.2.4 电源有关参数仿真 | 第48-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 模拟开关电路的版图设计与测试 | 第51-67页 |
| 4.1 模拟开关电路的版图设计 | 第51-58页 |
| 4.1.1 ESD保护电路版图实现 | 第52-53页 |
| 4.1.2 输入电路版图实现 | 第53-54页 |
| 4.1.3 缓冲电路版图实现 | 第54-55页 |
| 4.1.4 电平位移电路版图实现 | 第55-56页 |
| 4.1.5 MOS开关电路版图实现 | 第56-58页 |
| 4.2 模拟开关芯片的测试 | 第58-65页 |
| 4.2.1 模拟参数测试 | 第59-62页 |
| 4.2.2 数字参数测试 | 第62-63页 |
| 4.2.3 动态特性参数测试 | 第63-64页 |
| 4.2.4 电源有关参数测试 | 第64-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第72-73页 |