| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| 1.1 HCI效应的研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外研究现状及进展 | 第10-11页 |
| 1.3 论文的主要工作及结构安排 | 第11-13页 |
| 第二章 热载流子退化机理及模型 | 第13-29页 |
| 2.1 热载流子退化机理 | 第13-23页 |
| 2.1.1 热载流子注入效应分类 | 第13-18页 |
| 2.1.2 热载流子注入机理及栅氧化层损伤机制 | 第18-19页 |
| 2.1.3 强电场情况下载流子获取能量的方式 | 第19-23页 |
| 2.2 热载流子退化的主要模型 | 第23-26页 |
| 2.2.1 幸运电子模型 | 第23-24页 |
| 2.2.2 能量驱动模型 | 第24-26页 |
| 2.3 纳米级新工艺中的HCI问题 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 HCI效应测试结构及测试方法 | 第29-43页 |
| 3.1 测试结构设计 | 第29-31页 |
| 3.1.1 单管测试结构 | 第29-30页 |
| 3.1.2 电路测试结构 | 第30-31页 |
| 3.2 热载流子注入效应测试方法及流程 | 第31-39页 |
| 3.2.1 I-V特性测试法 | 第31-34页 |
| 3.2.2 电荷泵测试法 | 第34-35页 |
| 3.2.3 基于I-V特性测试法的测试流程 | 第35-39页 |
| 3.3 热载流子注入效应测试平台搭建 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 0.18um工艺及65nm工艺NMOS器件的HCI效应 | 第43-62页 |
| 4.1 0.18 um工艺NMOS器件的热载流子注入效应分析 | 第43-56页 |
| 4.1.1 热载流子注入效应对NMOS器件的影响 | 第43-51页 |
| 4.1.2 0.18 um工艺NMOS器件寿命预测 | 第51-53页 |
| 4.1.3 0.18 um工艺封闭型栅NMOS器件对热载流子退化的影响 | 第53-56页 |
| 4.2 65 nm工艺NMOS器件的热载流子注入效应分析 | 第56-61页 |
| 4.2.1 65 nm工艺NMOS器件最劣电压偏置研究 | 第56-58页 |
| 4.2.2 65 nm工艺NMOS器件不同温度下的热载流子退化研究 | 第58-59页 |
| 4.2.3 65 nm工艺NMOS器件环栅结构对热载流子效应的影响 | 第59-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总剂量辐射对65nmNMOS器件HCI效应的影响 | 第62-74页 |
| 5.1 65 nmNMOS器件总剂量效应研究 | 第62-67页 |
| 5.1.1 总剂量效应 | 第63-66页 |
| 5.1.2 65nmNMOS器件总剂量效应试验及结果分析 | 第66-67页 |
| 5.2 总剂量辐射对器件热载流子注入效应的影响 | 第67-68页 |
| 5.3 总剂量效应与HCI关联效应的实验分析 | 第68-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 总结 | 第74-75页 |
| 6.2 展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得成果 | 第82页 |
