基于0.13微米CMOS工艺抗辐射加固单元库设计及验证
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 需求背景 | 第13-15页 |
| 1.1.1 总体需求背景 | 第13页 |
| 1.1.2 卫星需求 | 第13-14页 |
| 1.1.3 战略武器需求 | 第14-15页 |
| 1.1.4 建设0.13μm抗辐射加固库的必要性 | 第15页 |
| 1.2 国外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 国内研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5 结构安排 | 第18页 |
| 1.6 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 抗辐射加固设计 | 第19-37页 |
| 2.1 防护总剂量效应设计 | 第19-23页 |
| 2.2 防护单粒子闩锁设计 | 第23-24页 |
| 2.3 防护单粒子翻转设计 | 第24-30页 |
| 2.4 防护单粒子瞬态设计 | 第30-32页 |
| 2.5 仿真验证 | 第32-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 0.13μm单元库的设计和验证 | 第37-51页 |
| 3.1 单元选择 | 第38页 |
| 3.2 抗辐射设计手段和指标 | 第38-40页 |
| 3.3 单元基本参数选择 | 第40-42页 |
| 3.3.1 单元电路原理 | 第40-41页 |
| 3.3.2 版图模板 | 第41-42页 |
| 3.4 单元库绘制和参数提取 | 第42-45页 |
| 3.4.1 单元版图绘制 | 第42页 |
| 3.4.2 LIB库 | 第42-44页 |
| 3.4.3 ASIC后端数据库编制 | 第44-45页 |
| 3.5 测试芯片设计和流片验证 | 第45-49页 |
| 3.5.1 验证电路设计 | 第46-47页 |
| 3.5.2 验证结果 | 第47-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 单元库的实现 | 第51-123页 |
| 4.1 EDA视图准备 | 第51-64页 |
| 4.2 单元后仿真网表 | 第64-73页 |
| 4.3 单元参数化 | 第73-107页 |
| 4.4 物理库 | 第107-121页 |
| 4.5 本章小结 | 第121-123页 |
| 第五章 结论和展望 | 第123-125页 |
| 5.1 研究结论 | 第123页 |
| 5.2 研究展望 | 第123页 |
| 5.3 本章小结 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 作者简介 | 第129-130页 |
