CMOS超宽带开关的电路设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 金属氧化物半导体场效应晶体管 | 第10-12页 |
| 1.3 微波开关 | 第12页 |
| 1.4 超宽带开关相关进展 | 第12-19页 |
| 1.5 本文内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 硅基微波开关基础 | 第20-37页 |
| 2.1 晶体管的工作原理 | 第20-22页 |
| 2.2 射频开关的性能参数 | 第22-25页 |
| 2.2.1 回波损耗 | 第22页 |
| 2.2.2 插入损耗 | 第22-24页 |
| 2.2.3 隔离度 | 第24页 |
| 2.2.4 功率处理能力 | 第24-25页 |
| 2.3 射频开关的应用技术 | 第25-36页 |
| 2.3.1 CMOS开关结构的演进 | 第26-27页 |
| 2.3.2 交流悬浮技术 | 第27-29页 |
| 2.3.3 负偏压技术 | 第29-30页 |
| 2.3.4 晶体管堆叠技术 | 第30-31页 |
| 2.3.5 阻抗变换技术 | 第31-32页 |
| 2.3.6 泄漏消除技术 | 第32-33页 |
| 2.3.7 前馈电容技术 | 第33-34页 |
| 2.3.8 降低插入损耗 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 片上无源器件 | 第37-46页 |
| 3.1 片上电感 | 第37-39页 |
| 3.2 片上无源巴伦 | 第39-45页 |
| 3.2.1 片上无源巴伦的主要性能参数 | 第40-41页 |
| 3.2.2 片上无源巴伦的结构选择 | 第41-43页 |
| 3.2.3 片上变压器型巴伦的设计 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 超宽带差分CMOS开关设计 | 第46-61页 |
| 4.1 差分超宽带微波CMOS开关 | 第46-54页 |
| 4.1.1 差分结构的优点 | 第46-48页 |
| 4.1.2 超宽带微波开关的设计与分析 | 第48-54页 |
| 4.2 差分开关电路的优化 | 第54-57页 |
| 4.3 差分开关芯片的版图和仿真结果 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 超宽带单端CMOS开关设计 | 第61-75页 |
| 5.1 开关的设计与分析 | 第61-66页 |
| 5.2 开关电路的优化 | 第66-71页 |
| 5.3 开关版图和仿真结果 | 第71-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 全文总结 | 第75页 |
| 6.2 未来的工作展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第83页 |
