低功耗高PSRR无线能量管理单元的研究与设计
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-16页 |
1.1 植入式医疗芯片背景与意义 | 第11-12页 |
1.2 研究现状 | 第12-15页 |
1.3 论文主要内容及结构 | 第15-16页 |
第二章 无线能量管理单元架构设计 | 第16-19页 |
2.1 WPMU框架设计 | 第16-17页 |
2.2 WPMU设计指标 | 第17-18页 |
2.2.1 输出功率 | 第17页 |
2.2.2 转换效率 | 第17-18页 |
2.2.3 输出电压 | 第18页 |
2.2.4 启动时间 | 第18页 |
2.3 本章小结 | 第18-19页 |
第三章 整流升压电路的分析与设计 | 第19-30页 |
3.1 无线能量收集的基本介绍 | 第19-20页 |
3.2 电荷泵整流器的基本原理 | 第20-24页 |
3.2.1 基于二极管设计的电荷泵整流器 | 第20-22页 |
3.2.2 基于MOS管设计的电荷泵整流器 | 第22-24页 |
3.3 提出的电荷泵整流器 | 第24-29页 |
3.3.1 基于阈值电压消除技术的电荷泵设计 | 第24-27页 |
3.3.2 仿真结果 | 第27-29页 |
3.4 本章小结 | 第29-30页 |
第四章 带隙基准源的分析与设计 | 第30-45页 |
4.1 带隙基准源的基本原理 | 第30-32页 |
4.2 带隙基准源的设计指标 | 第32-33页 |
4.2.1 启动电压 | 第32页 |
4.2.2 启动时间 | 第32页 |
4.2.3 温度系数 | 第32页 |
4.2.4 电源抑制比 | 第32-33页 |
4.2.5 线性调整率 | 第33页 |
4.2.6 电路功耗 | 第33页 |
4.3 带隙基准源的设计与仿真 | 第33-44页 |
4.3.1 亚阈值区的MOS管特性 | 第33-34页 |
4.3.2 传统亚阈值基准源设计 | 第34-35页 |
4.3.3 提出的基准源核心电路设计 | 第35-36页 |
4.3.4 电源抑制比辅助电路设计 | 第36-40页 |
4.3.5 启动电路设计 | 第40-41页 |
4.3.6 仿真结果 | 第41-44页 |
4.4 本章小结 | 第44-45页 |
第五章 LDO的研究与设计 | 第45-66页 |
5.1 LDO的基本原理 | 第45-46页 |
5.2 LDO的设计指标 | 第46-50页 |
5.2.1 最小输入输出压差(Vdrop) | 第46页 |
5.2.2 转换效率 | 第46页 |
5.2.3 线性调整率(LDR) | 第46-47页 |
5.2.4 负载调整率(LOR) | 第47-48页 |
5.2.5 电源抑制比(PSRR) | 第48-50页 |
5.2.6 瞬态响应 | 第50页 |
5.2.7 频率响应 | 第50页 |
5.3 LDO的设计 | 第50-59页 |
5.3.1 功率管的选取 | 第50-51页 |
5.3.2 频率补偿 | 第51-55页 |
5.3.3 误差放大器(OPAM)的选取 | 第55-57页 |
5.3.4 保护电路的设计 | 第57-59页 |
5.3.5 使能电路的设计(EN) | 第59页 |
5.3.6 PSRR增强电路的设计 | 第59页 |
5.4 仿真结果 | 第59-65页 |
5.5 本章小结 | 第65-66页 |
第六章 整体电路仿真 | 第66-71页 |
6.1 整体电路的版图设计 | 第66页 |
6.2 整体电路的后仿真 | 第66-70页 |
6.3 本章小结 | 第70-71页 |
第七章 总结与展望 | 第71-73页 |
7.1 总结 | 第71页 |
7.2 展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-79页 |
致谢 | 第79-80页 |
附录 | 第80页 |