基于CMOS工艺的全芯片ESD设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 ESD的概念 | 第9-11页 |
| 1.2 ESD事件的分类 | 第11-14页 |
| 1.2.1 HBM模型与MM模型 | 第11-13页 |
| 1.2.2 CDM模型 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外发展态势 | 第14-15页 |
| 1.4 本文解决问题 | 第15页 |
| 1.5 本文文章结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 芯片级ESD测试标准与理论基础 | 第17-25页 |
| 2.1 ESD测试标准 | 第17-18页 |
| 2.2 TLP测试原理 | 第18-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 CMOS工艺下常用ESD保护器件分析 | 第25-48页 |
| 3.1 二极管 | 第25-28页 |
| 3.2 MOSFET | 第28-33页 |
| 3.3 SCR | 第33-45页 |
| 3.3.1 SCR的触发电压调整方法 | 第36-37页 |
| 3.3.2 SCR的维持电压调整方法 | 第37-45页 |
| 3.4 ESD器件的开启速度对比 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 CMOS工艺下常用ESD保护电路结构 | 第48-64页 |
| 4.1 触发电路 | 第48-56页 |
| 4.1.1 上升沿判定型触发电路 | 第49-50页 |
| 4.1.2 阈值判定型触发电路 | 第50-56页 |
| 4.2 ESD钳位电路 | 第56-60页 |
| 4.2.1 基于MOS管的ESD钳位电路 | 第56-59页 |
| 4.2.2 基于SCR管的ESD钳位电路 | 第59-60页 |
| 4.2.3 基于二极管管的ESD钳位电路 | 第60页 |
| 4.3 电源钳位电路 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 CMOS工艺下ESD保护网络设计 | 第64-75页 |
| 5.1 ESD保护网络概述 | 第64-65页 |
| 5.2 基于电源轨的保护网络 | 第65-68页 |
| 5.3 多电源域的保护网路 | 第68-69页 |
| 5.4 单总线保护 | 第69-70页 |
| 5.5 两级ESD钳位 | 第70-73页 |
| 5.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 总结 | 第75页 |
| 6.2 展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第81-82页 |
