基于Perl和Verilog-A的随机故障注入技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 研究内容 | 第16-17页 |
| 1.4 论文结构 | 第17-19页 |
| 第二章 单粒子效应机理与模型介绍分析 | 第19-35页 |
| 2.1 单粒子瞬态的机理介绍 | 第20-22页 |
| 2.2 SET建模和仿真方法分析 | 第22-34页 |
| 2.2.1 基于电压无关的单电流源模型 | 第23-26页 |
| 2.2.2 基于电压相关的电流源模型 | 第26-29页 |
| 2.2.3 基于电压无关的双电流源模型 | 第29-31页 |
| 2.2.4 基于分段插值法的模型 | 第31页 |
| 2.2.5 基于查找表的模型 | 第31-32页 |
| 2.2.6 基于开关和电阻的模型 | 第32-33页 |
| 2.2.7 SET模型和仿真方法的比较分析和选择 | 第33-34页 |
| 2.3 本章小节 | 第34-35页 |
| 第三章 单粒子效应模型的建立 | 第35-53页 |
| 3.1 不同LET值对单粒子效应影响的研究 | 第35-39页 |
| 3.2 双指数电流源的建立 | 第39-50页 |
| 3.2.1 TCAD数据的预处理 | 第40-42页 |
| 3.2.2 拟合模型分析 | 第42-50页 |
| 3.3 基于Verilog-A的随机发生 | 第50-52页 |
| 3.4 本章小节 | 第52-53页 |
| 第四章 基于电流源模型的电路级故障注入仿真分析 | 第53-65页 |
| 4.1 SRAM六管单元仿真设置与结果分析 | 第53-55页 |
| 4.2 RISC处理器设计与仿真结果分析 | 第55-64页 |
| 4.2.1 RISC处理器架构 | 第56-58页 |
| 4.2.2 逻辑电路单粒子敏感节点提取 | 第58-59页 |
| 4.2.3 逻辑电路单粒子故障注入技术 | 第59-60页 |
| 4.2.4 RISC处理器特定信号仿真分析 | 第60-62页 |
| 4.2.5 电路关键路径分析 | 第62-64页 |
| 4.2.6 RISC处理器单粒子故障统计分析 | 第64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 论文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
