| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-20页 |
| 第一章 引言 | 第20-24页 |
| 1.1 III-N材料的基本参数 | 第20-21页 |
| 1.2 III-N材料的生长 | 第21-22页 |
| 1.2.1 GaN材料的生长 | 第21页 |
| 1.2.2 InGaN材料的生长 | 第21页 |
| 1.2.3 AlGaN材料的生长 | 第21-22页 |
| 1.3 本文主要工作及安排 | 第22-24页 |
| 第二章 微纳图形掩膜与衬底的研究进展 | 第24-34页 |
| 2.1 微米图形掩膜的研究进展 | 第25页 |
| 2.2 微米图形衬底的研究进展 | 第25-27页 |
| 2.3 纳米图形掩膜的研究进展 | 第27-28页 |
| 2.4 纳米图形衬底的研究进展 | 第28-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-34页 |
| 第三章 氧化硅微纳球图形掩膜上的GaN过生长 | 第34-56页 |
| 3.1 PS薄膜和单层微纳球的旋涂工艺 | 第34-36页 |
| 3.1.1 PS旋涂 | 第34页 |
| 3.1.2 亲水性的改善 | 第34-35页 |
| 3.1.3 微球旋涂 | 第35-36页 |
| 3.2 氧化硅微纳球作掩膜的c面GaN过生长 | 第36-46页 |
| 3.2.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2.2 实验详情 | 第37页 |
| 3.2.3 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 3.2.4 结论 | 第46页 |
| 3.3 二次微纳球掩膜的GaN过生长 | 第46-48页 |
| 3.3.1 引言 | 第46页 |
| 3.3.2 实验详情 | 第46-47页 |
| 3.3.3 结果与讨论 | 第47-48页 |
| 3.3.4 结论 | 第48页 |
| 3.4 氧化硅微纳球作掩膜的a面和半极性面GaN过生长 | 第48-55页 |
| 3.4.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.4.2 实验详情 | 第49页 |
| 3.4.3 a面GaN的结果与讨论 | 第49-52页 |
| 3.4.4 半极性面GaN的结果与讨论 | 第52-54页 |
| 3.4.5 结论 | 第54-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 微纳图形掩膜上的AlGaN生长 | 第56-74页 |
| 4.1 III组氮化物在氧化硅微纳球表面的附着特性研究 | 第56-57页 |
| 4.1.1 引言 | 第56页 |
| 4.1.2 实验详情 | 第56页 |
| 4.1.3 结果与讨论 | 第56-57页 |
| 4.1.4 结论 | 第57页 |
| 4.2 氧化硅微纳球作掩膜的低Al组分AlGaN SL再生长 | 第57-64页 |
| 4.2.1 引言 | 第57页 |
| 4.2.2 实验详情 | 第57-58页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第58-64页 |
| 4.2.4 结论 | 第64页 |
| 4.3 氧化硅微纳球作掩膜的高Al组分AlGaN SL再生长 | 第64-72页 |
| 4.3.1 引言 | 第64页 |
| 4.3.2 实验详情 | 第64-65页 |
| 4.3.3 结果与讨论 | 第65-71页 |
| 4.3.4 结论 | 第71-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 纳米柱上的GaN侧壁生长 | 第74-86页 |
| 5.1 干法刻蚀纳米柱 | 第74-75页 |
| 5.1.1 实验详情 | 第74页 |
| 5.1.2 结果和讨论 | 第74-75页 |
| 5.1.3 结论 | 第75页 |
| 5.2 纳米柱上的TiN掩膜制造 | 第75-77页 |
| 5.2.1 引言 | 第75-76页 |
| 5.2.2 实验详情 | 第76页 |
| 5.2.3 结果与讨论 | 第76-77页 |
| 5.2.4 结论 | 第77页 |
| 5.3 TiN作掩膜的无光刻干法刻蚀纳米柱上的GaN侧壁过生长 | 第77-85页 |
| 5.3.1 引言 | 第77页 |
| 5.3.2 实验详情 | 第77-78页 |
| 5.3.3 结果与讨论 | 第78-85页 |
| 5.3.4 结论 | 第85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 结束语 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 作者简介 | 第98-99页 |
