| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 NiO材料的基本特性 | 第8-11页 |
| 1.2.1 NiO的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 NiO的电学特性 | 第10页 |
| 1.2.3 NiO的光学特性 | 第10-11页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的研究内容 | 第12-14页 |
| 2 基本理论及表征方法 | 第14-22页 |
| 2.1 NiO薄膜制备原理及设备 | 第14-15页 |
| 2.2 NiO薄膜成膜过程 | 第15-16页 |
| 2.3 NiO薄膜表征方法 | 第16-18页 |
| 2.3.1 结构特性表征 | 第16-17页 |
| 2.3.2 形貌特性表征 | 第17页 |
| 2.3.3 光学特性表征 | 第17页 |
| 2.3.4 电学特性表征 | 第17-18页 |
| 2.4 异质结理论 | 第18-21页 |
| 2.4.1 异质结的能带 | 第18-19页 |
| 2.4.2 异质结的特性 | 第19-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 异质结制备实验研究 | 第22-34页 |
| 3.1 NiO薄膜制备工艺 | 第22-28页 |
| 3.1.1 基本工艺与实验方案 | 第22-24页 |
| 3.1.2 工艺参数对薄膜特性影响 | 第24-28页 |
| 3.2 欧姆电极的制备 | 第28-30页 |
| 3.2.1 Ni/n-4H-SiC欧姆接触电极的制备 | 第28-29页 |
| 3.2.2 Ni/p-NiO欧姆接触电极的制备 | 第29-30页 |
| 3.3 NiO/4H-SiC异质结的制备 | 第30-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 NiO/4H-SiC异质结特性研究 | 第34-42页 |
| 4.1 异质结J-V特性研究 | 第34-35页 |
| 4.2 异质结不同温度下的特性研究 | 第35-37页 |
| 4.3 异质结光电特性研究 | 第37-41页 |
| 4.3.1 p-NiO/n-SiC异质结的光电特性研究 | 第37-38页 |
| 4.3.2 p-NiO/i-NiO/n-SiC异质结的制作及其光电特性研究 | 第38-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 5 结论与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 结论 | 第42页 |
| 5.2 展望 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 在校期间发表的论文、专利 | 第50页 |
