首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

BiVO4光催化性的第一性原理研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8页
    1.2 半导体光催化剂第8-11页
        1.2.1 半导体光催化原理第8-10页
        1.2.2 半导体催化技术的应用第10-11页
    1.3 BiVO_4半导体光催化剂第11-14页
        1.3.1 BiVO_4的结构第12-13页
        1.3.2 BiVO_4的改性研究第13-14页
    1.4 本论文的主要意义和内容第14-16页
第二章 计算理论与方法第16-28页
    2.1 计算材料学的概述第16页
    2.2 密度泛函理论第16-22页
        2.2.1 绝热近似和 Hartree-Fock 方程第16-18页
        2.2.2 密度泛函理论的基础第18-20页
        2.2.3 交换相关能量泛函第20-22页
    2.3 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法第22-24页
        2.3.1 周期性的超晶格方法第22-23页
        2.3.2 赝势方法第23-24页
    2.4 第一性原理计算软件第24-25页
    2.5 理论计算研究的意义和作用第25-28页
第三章 单晶钒酸铋的第一性原理研究第28-34页
    3.1 计算参数与结构模型第28-30页
        3.1.1 晶格参数第28页
        3.1.2 结构模型第28-29页
        3.1.3 模型的几何结构优化第29-30页
    3.2 结果讨论与分析第30-33页
        3.2.1 能带结构第30-31页
        3.2.2 总态密度和分态密度第31-32页
        3.2.3 吸收光谱第32-33页
    3.3 本章小结第33-34页
第四章 掺杂型钒酸铋的第一性原理研究第34-44页
    4.1 W 掺杂单斜相 BiVO_4光催化性的第一性原理研究第34-38页
        4.1.1 计算方法和模型构建第34-35页
        4.1.2 晶体结构的稳定性分析第35页
        4.1.3 能带结构第35-36页
        4.1.4 总态密度和分态密度第36-38页
        4.1.5 吸收光谱第38页
    4.2 Mo、W 掺杂单斜相 BiVO_4的第一性原理计算第38-42页
        4.2.1 计算方法和模型构建第39页
        4.2.2 晶体结构的稳定性分析第39页
        4.2.3 能带结构第39页
        4.2.4 态密度第39-40页
        4.2.5 吸收光谱第40-42页
    4.3 本章小结第42-44页
第五章 CuO负载单斜相钒酸铋的第一性原理研究第44-50页
    5.1 计算方法和模型构建第44-45页
        5.1.1 计算方法第44页
        5.1.2 模型构建第44-45页
    5.2 计算结果及分析第45-48页
        5.2.1 能带结构第45页
        5.2.2 总态密度与分态密度第45-46页
        5.2.3 吸收光谱第46-47页
        5.2.4 电荷态密度变化第47-48页
    5.3 本章小结第48-50页
第六章 结论和展望第50-52页
    6.1 结论第50-51页
    6.2 展望第51-52页
致谢第52-54页
参考文献第54-58页
硕士在读期间发表论文情况第58-59页

论文共59页,点击 下载论文
上一篇:新型高效红色磷光材料Irf的电致发光特性及发光过程
下一篇:Er:YAG固体激光器注入锁定技术稳定性研究